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MCD250-08io1

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產(chǎn)品型號(hào)MCD250-08io1

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更新時(shí)間：2016-12-19 14:15:39瀏覽次數(shù)：258次

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深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

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詳細(xì)介紹

MCD250-08io1品牌：IXYS艾賽斯；

MCD250-08io1代理怎么樣？價(jià)格好嗎？

可控硅IGBT模塊是由德國(guó)IXYS出品，采用*工藝；

很多采購(gòu)*次接觸此類(lèi)產(chǎn)品，無(wú)從下手，在此建議一定不要只看價(jià)格，性能質(zhì)量穩(wěn)定也非常重要。

深圳市邁瑞施電子技術(shù)有限公司：一家專(zhuān)業(yè)做進(jìn)口 * 現(xiàn)貨批發(fā)零售的企業(yè)，

方法一

IGBT組件檢測(cè)方法

IGBT正常工作時(shí)，柵極與發(fā)射極之間的電壓約為9V發(fā)射極為基準(zhǔn)。若在路測(cè)量，電路正常工作時(shí)：正電壓約為13V負(fù)電壓約為-9V的166µs半周期方波

應(yīng)側(cè)阻值萬(wàn)用表接法正常異常

C—E之間 C接表正，E接表負(fù) 數(shù)百歐短路，開(kāi)路

C接表負(fù)，E接表正約16KΩ 短路，幾百歐

C—B之間 C接表正，B接表負(fù) 無(wú)窮大短路，幾百歐

C接表負(fù)，B接表正無(wú)窮大短路，幾百歐

B—E之間 B接表正，E接表負(fù) 無(wú)窮大短路，幾百歐

B接表負(fù)，E接表正無(wú)窮大短路，幾百歐

當(dāng)撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購(gòu)。

相關(guān)導(dǎo)讀：

其它由供電或負(fù)載方面引起的原因，如過(guò)、欠壓、負(fù)載重、甚至堵轉(zhuǎn)引起的過(guò)流等故障，在變頻器的保護(hù)電路正常的條件下，是能有效保護(hù)模塊安全的，模塊的損壞機(jī)率將大為減小。在此未幾討論。

由變頻器本身電路不良造成的模塊損壞

1、由驅(qū)動(dòng)電路不良對(duì)模塊會(huì)造成一級(jí)危害

由驅(qū)動(dòng)電路的供電方式可知，一般由正、負(fù)兩個(gè)電源供電。+15V電壓提供IGBT管子的激勵(lì)電壓，使其開(kāi)通。-5V提供IGBT管子的截止電壓，使其可靠和快速的截止。當(dāng)+15V電壓不足或丟失時(shí)，相應(yīng)的IGBT管子不能開(kāi)通，若驅(qū)動(dòng)電路的模塊故障檢測(cè)電路也能檢測(cè)IGBT管子時(shí)，則變頻器一投入運(yùn)行信號(hào)，即可由模塊故障檢測(cè)電路報(bào)出OC信號(hào)，變頻器實(shí)施保護(hù)停機(jī)動(dòng)作，對(duì)模塊幾乎無(wú)危害性。

而萬(wàn)一-5V截止負(fù)壓不足或丟失時(shí)(如同三相整流橋一樣，我們可先把逆變輸出電路看成一個(gè)逆變橋，則由IGBT管子組成了三個(gè)上橋臂和三個(gè)下橋臂，如U相上橋臂和U相下橋臂的IGBT管子。)，當(dāng)任一相的上(下)橋臂受激勵(lì)而開(kāi)通時(shí)，相應(yīng)的下(上)橋臂IGBT管子則因截止負(fù)壓的丟失，形成由IGBT管子的集-柵結(jié)電容對(duì)柵-射結(jié)電容的充電，導(dǎo)致管子的誤導(dǎo)通，兩管共通對(duì)直流電源形成了短路!其后果是：模塊都炸飛了!

截止負(fù)壓的丟失，一個(gè)是驅(qū)動(dòng)IC損壞所造成;還有可能是驅(qū)動(dòng)IC后級(jí)的功率推動(dòng)級(jí)(通常由兩級(jí)互補(bǔ)式電壓跟隨功率放大器組成)的下管損壞所造成;觸發(fā)端子引線(xiàn)連接不良;再就是驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)供電支路不良或電源濾波電容失效。而一旦出現(xiàn)上述現(xiàn)象之一，必將對(duì)模塊形成致命的打擊!是無(wú)可挽回的。

艾賽斯可控硅、晶閘管、IGBT模塊，IXYS可控硅、晶閘管、IGBT模塊。

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