當(dāng)前位置：北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司>>探傷 \ 缺陷檢測(cè) \ 半導(dǎo)體分析>>硅棒\硅錠紅外探傷儀

硅棒\硅錠紅外探傷儀

返回列表頁(yè)

$硅棒\硅錠紅外探傷儀$

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品牌

廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地北京市

在線(xiàn)詢(xún)價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話(huà)

聯(lián)系方式：包經(jīng)理查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-08-03 13:42:16瀏覽次數(shù)：1007次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自環(huán)保在線(xiàn)

產(chǎn)品分類(lèi) 品牌分類(lèi)

  探傷 \ 缺陷檢測(cè) \ 半導(dǎo)體分析

全部產(chǎn)品列表

暫無(wú)信息

北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠(chǎng)家

商鋪產(chǎn)品：40條

所在地區(qū)：北京北京市

聯(lián)系人：包經(jīng)理（銷(xiāo)售總監(jiān)）

詢(xún)價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)能硅塊快速、無(wú)接觸的缺陷檢測(cè)。檢測(cè)的缺陷類(lèi)型包括：裂紋和空洞、SiC雜質(zhì)、微晶聚集結(jié)構(gòu)、金屬沉淀。

詳細(xì)介紹

硅棒\硅錠紅外探傷儀
型號(hào)：進(jìn)口。
實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)能硅塊快速、無(wú)接觸的缺陷檢測(cè)。檢測(cè)的缺陷類(lèi)型包括：裂紋和空洞、SiC雜質(zhì)、微晶聚集結(jié)構(gòu)、金屬沉淀。

產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、便捷；
■ 線(xiàn)掃描模式的高分辨率紅外CCD 探測(cè)器；
■ 硅塊掃描尺寸zui大至400×210×210mm；
■ 適應(yīng)非拋光及拋光硅塊樣品；
■ 集成驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，自動(dòng)旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，實(shí)現(xiàn)硅錠4 側(cè)面的自動(dòng)測(cè)試；
■ 提供自動(dòng)、手動(dòng)兩種檢測(cè)模式，方便對(duì)缺陷區(qū)域進(jìn)行快速精確定位；
■ *校準(zhǔn)模板，可以消除系統(tǒng)光學(xué)像差，提高缺陷定位精度；
■ 系統(tǒng)軟件能夠自動(dòng)識(shí)別硅錠缺陷，幫助分析缺陷類(lèi)型；
■ 系統(tǒng)軟件能夠精確定位硅錠缺陷，并可將其轉(zhuǎn)換為三維（3D）模型圖像。

技術(shù)指標(biāo)
■ 測(cè)試缺陷：裂紋，雜質(zhì)，空洞，微晶區(qū)等；
■ 掃描模式：線(xiàn)掃描；
■ 測(cè)試速度：4面檢測(cè)<1分鐘；
■ 測(cè)試尺寸：400×210×210mm；
■ 光源<300W
■ 定位精度：＜100μm；
■ 定位重復(fù)性：30μm；
■ 分辨率：1000×2600px；
■ AC：110V/15A。
軟件截圖

數(shù)據(jù)采樣基線(xiàn)設(shè)置

設(shè)置傷痕線(xiàn) 3D效果顯示