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更新時(shí)間:2023-04-04 14:57:27瀏覽次數(shù):240次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過特制測(cè)試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
1、設(shè)備概述
該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過特制測(cè)試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
3、系統(tǒng)基本參數(shù)
3.1 電 壓 源:220VAC ±10 ,50Hz/60Hz 20A RMS;
3.2 加熱功能:室溫
150;
3.3 測(cè)試功能:可測(cè)試IGBT模塊及FRD;
3.4 環(huán)境溫度:25±15;
3.5 環(huán)境濕度:50 ±20 (相對(duì)濕度)
4、動(dòng)態(tài)測(cè)試基本配置
4.1 集電級(jí)電壓 Vcc: 50 1000V;
4.2 集電極電流 Ic: 50 1000A 感性負(fù)載;
4.3 電流持續(xù)時(shí)間 It: 10 1000 us 單個(gè)脈沖或雙脈沖的總時(shí)間;
4.4 脈 沖 模 式: 單脈沖和雙脈沖;
4.5 單電流脈沖的設(shè)置: Vcc,Ic, 電感值(自動(dòng)計(jì)算脈寬);
4.6 雙電流脈沖的設(shè)置: Vcc, Ic, 電感值,間隙時(shí)間(10到50us)(脈寬自動(dòng)計(jì)算);
(開啟Qrr測(cè)試:第二個(gè)脈寬=間隙時(shí)間,1050us);
4.7 設(shè)備寄生電感 Lint: < 65nH(感性動(dòng)態(tài)測(cè)試)。
5、感性負(fù)載
5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH;
5.2 電流 Ic 1000 500 A;
外部電感成陣列的內(nèi)部連接。(外部電感的H值傳給PC,以計(jì)算電流源的極限,限制脈寬到1000us)。
6、標(biāo)準(zhǔn)的雙控制極驅(qū)動(dòng)
6.1 門極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;
6.2 開啟(Trun-ON)輸出電壓 Vge+ : +15V;
6.3 關(guān)斷(Trun-ON)輸出電壓 Vge- : -15V;
6.4 脈寬: 10 1000us (單脈沖、雙脈沖總時(shí)間);
6.5 電壓開關(guān)時(shí)間: < 50ns;
6.6 輸出內(nèi)阻: < 0.5Ω;
7、測(cè)量配置
7.1 示波器:美國泰克新5系混合信號(hào)示波器(MSO),帶寬500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;
7.2 高速電流探頭;
7.3 高壓差分探頭。
8、測(cè)試參數(shù)應(yīng)包括
8.1 開通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon );
8.2 關(guān)斷:turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff);
8.3 反向恢復(fù) (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);
8.4 柵電荷:采用恒流驅(qū)動(dòng),電流可調(diào)范圍:0
100mA;
8.5 短路(1200Amax);
8.6 雪崩;
8.7 NTC(模塊)測(cè)試:0-20KΩ;
8.8 主要測(cè)試參數(shù)精度偏差 :< 3 。
9、系統(tǒng)保護(hù)功能
9.1 有完備的安全控制單元,動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備有傳感器來保證操作者安全,設(shè)備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。
9.2 有急停按鈕,當(dāng)急停按鈕被按下時(shí),迅速切斷所有高壓電源。
9.3 系統(tǒng)帶有短路保護(hù)功能,在過載時(shí)迅速斷開高壓高電流。
9.4 操作系統(tǒng)帶有多級(jí)權(quán)限。
9.5 系統(tǒng)應(yīng)配有內(nèi)置ups,保證計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在電網(wǎng)短時(shí)間掉電情況下,為系統(tǒng)供電0.5小時(shí)以上,確保系統(tǒng)及數(shù)據(jù)安全。
該設(shè)備主要針對(duì)IGBT及MOS管的測(cè)試儀,適用于芯片設(shè)計(jì),產(chǎn)線封裝測(cè)試及新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,地鐵交通等領(lǐng)域的大功率器件及模塊測(cè)試,設(shè)備模塊化程度高,測(cè)試穩(wěn)定性及測(cè)試精度在客戶端已經(jīng)廣泛使用。可以根據(jù)就用戶需求進(jìn)行定制。
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