華科智源-IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)簡(jiǎn)介

華科智源 IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)功能介紹：

1.華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)能夠?qū)Ρ炔煌腎GBT的參數(shù)；
2.華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)能夠用來評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能；
3.華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)能夠獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適。
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，但實(shí)際上，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)測(cè)試得來的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的，往往會(huì)有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。我們需要了解IGBT在具體應(yīng)用中更真實(shí)的表現(xiàn)；華科智源的IGBT雙脈沖測(cè)試臺(tái)能夠進(jìn)行規(guī)格書參數(shù)的測(cè)試；
4.開通、關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
5 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量；
6.IGBT關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；
7.評(píng)估IGBT并聯(lián)的均流特性；
8.測(cè)量母排的雜散電感；
要觀測(cè)這些參數(shù)，有效的方法就是：華科智源生產(chǎn)的IGBT測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT雙脈沖臺(tái)！

                                            雙脈沖測(cè)試的基本實(shí)驗(yàn)波形

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理（1）：
在t0時(shí)刻，門極放出個(gè)脈沖，被測(cè)IGBT   飽和導(dǎo)通，電動(dòng)勢(shì)U加在負(fù)載L上，電感的電流線性上升，電流表達(dá)式為：

 t1時(shí)刻，電感電流的數(shù)值由U和L決定，在U和L都確定時(shí)，電流的數(shù)值由t1決定，時(shí)間越長(zhǎng)，電流越大。因此可以自主設(shè)定電流的數(shù)值。

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理（2）：
IGBT關(guān)斷，負(fù)載 的電流L的電流由上管二極管續(xù)流，該電流緩慢衰減，如圖虛線所示。
由于電流探頭放在下管的發(fā)射極處，因此，在二極管續(xù)流時(shí)，IGBT關(guān)斷，示波器上是看不見該電流的。

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理（3）：
在t2時(shí)刻，第二個(gè)脈沖的上升沿到達(dá)，被測(cè)IGBT 再次導(dǎo)通，續(xù)流二極管進(jìn)入反向恢復(fù)，反向恢復(fù)電流會(huì)穿過IGBT      ，在電流探頭上能捕捉到這個(gè)電流，如下圖所示。
在該時(shí)刻，重點(diǎn)是觀察IGBT  的開通過程。反向恢復(fù)電流是重要的監(jiān)控對(duì)象，該電流的形態(tài)直接影響到換流過程的許多重要指標(biāo)。

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的基本原理（4）：
在t3時(shí)刻，被測(cè)IGBT   再次關(guān)斷，此時(shí)電流較大，因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在，會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰。在該時(shí)刻，重點(diǎn)是觀察IGBT  的關(guān)斷過程。電壓尖峰是重要的監(jiān)控對(duì)象，同時(shí)關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩也是需要注意的對(duì)象。

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的實(shí)測(cè)波形：

雙脈沖實(shí)驗(yàn)的關(guān)注點(diǎn)----開通過程（第二次開通）：
左圖是IGBT   實(shí)測(cè)開通波形，我們需要關(guān)注的點(diǎn)是：
（1）Vce電壓是否正確變化；
（2）二極管的反向恢復(fù)電流的di/dt；
（3）二極管的反向恢復(fù)電流的峰值；
（4）反向恢復(fù)后電流是否有震蕩，拖尾有多長(zhǎng)；
（5）測(cè)算出損耗(  依賴示波器功能)。

關(guān)于二極管的討論：
IGBT模塊中的續(xù)流二極管，實(shí)際上是一個(gè)非常重要的元件，但往往容易被忽視。我們列舉出如下需要注意的幾條：
1. IGBT 出現(xiàn)短路或者故障時(shí)，IGBT驅(qū)動(dòng)器可以幫忙保護(hù)；但二極管芯片損壞時(shí)，沒有其他的防護(hù)手段；
2. 在IGBT 開通的時(shí)刻，實(shí)際上是續(xù)流二極管關(guān)斷的時(shí)刻。所有的功率半導(dǎo)體，包括IGBT 芯片和二極管芯片，在關(guān)斷的時(shí)刻面臨的風(fēng)險(xiǎn)遠(yuǎn)大于其開通時(shí)面臨的風(fēng)險(xiǎn)；
下圖是二極管的安全工作區(qū)的示意圖。
實(shí)際上這是一條恒功率曲線。其意義是：二極管 在反向恢復(fù)過程中，其瞬時(shí)功率不能超過規(guī)定的數(shù)值，否則就有損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
因此，二極管的瞬時(shí)功率是重要的判斷標(biāo)準(zhǔn)。二極管在反向恢復(fù)的過程中，實(shí)際上是其工作點(diǎn)從導(dǎo)通過度到截止。其工作點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)軌跡有多種選擇，如右圖所示。顯然，軌跡A是安全的，軌跡C則是危險(xiǎn)的。

華科智源專業(yè)提供IGBT測(cè)試系統(tǒng)，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試系統(tǒng)，提供IGBT單管及模塊的動(dòng)靜態(tài)測(cè)試儀，雪崩能量測(cè)試儀。