隨著電子行業(yè)的日益迅速發(fā)展，集成電路的生產(chǎn)用水要求也越來越高。對集成電路的質(zhì)量要求越高，則水質(zhì)的要求相對來說也就越嚴(yán)格。集成電路用超純水設(shè)備是根據(jù)電子行業(yè)的特殊要求設(shè)計并生產(chǎn)的一款水處理設(shè)備，具有自動化程度高、運行穩(wěn)定、品質(zhì)有保證特點,用戶可以根據(jù)自己實際的生產(chǎn)需要，調(diào)整設(shè)備的出水量。集成電路用超純水設(shè)備廣泛的應(yīng)用在大型工業(yè)、電子領(lǐng)域。

　　影響集成電路用超純水設(shè)備運行的因素有：

　　1)、濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。

　　EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指數(shù)會使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

　　2)、硬度的影響。

　　如果EDI中進(jìn)水的殘存硬度太高，會導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時會堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

　　3)、TOC(總有機(jī)碳)的影響。

　　進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過高，會造成樹脂和選擇透過性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

　　4)、Fe、Mn等金屬離子的影響。

　　Fe、Mn等金屬離子會造成樹脂的“中毒”。樹脂的金屬“中毒”會造成EDI出水水質(zhì)的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價屬對離子交換樹脂的氧化催化作用，會造成樹脂的性損傷。

　　5)、進(jìn)水中CO2的影響。

　　進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

　　6)、總陰離子含量(TEA)的影響。

　　高的TEA將會降低EDI產(chǎn)水電阻率，或需要提高EDI運行電流，而過高的運行電流會導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，余氯濃度增大，對極膜壽命不利。

　　7)、工作電壓-電流的影響。

　　工作電流增大，產(chǎn)水水質(zhì)不斷變好。但如果在增至高點后再增加電流，由于水電離產(chǎn)生的H+和OH-離子量過多，除用于再生樹脂外，大量富余離子充當(dāng)載流離子導(dǎo)電，同時由于大量載流離子移動過程中發(fā)生積累和堵塞，甚至發(fā)生反擴(kuò)散，結(jié)果使產(chǎn)水水質(zhì)下降。

　　8)、EDI進(jìn)水電導(dǎo)率的影響。

　　在相同的操作電流范圍下，隨著原水電導(dǎo)率的增加EDI對弱電解質(zhì)的去除率減小，出水的電導(dǎo)率也增加。如果原水電導(dǎo)率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動勢梯度也大，導(dǎo)致水的解離程度增強(qiáng)，極限電流增大，產(chǎn)生的H+和OH-的數(shù)量較多，使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。

　　凈得瑞超純水設(shè)備系統(tǒng)主要采用全自動反滲透+電去離子(EDI)+拋光混床超純水處理技術(shù)，前置預(yù)處理加反滲透處理，有效去除水中各種鹽份及雜質(zhì)，然后運用CEDI及拋光混床系統(tǒng)，進(jìn)一步提升水質(zhì)，使出水達(dá)到用水工藝要求。

　　采用全自運控制，具有產(chǎn)水水質(zhì)穩(wěn)定、操作簡便、運行費用低、綠色環(huán)保、維護(hù)方便等優(yōu)點。

　　超純水設(shè)備系統(tǒng)廣泛應(yīng)用這些行業(yè)：新能源行業(yè)(光伏、微電子、太陽能、新材料)、電子(集成電路、顯像管、線路板、電腦元件、電容器等)、電力(核電、光電、火力發(fā)電等)、光學(xué)、半導(dǎo)體、單/多晶硅、表面處理、化工、電鍍等相關(guān)行業(yè)。