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天津市眾邁環(huán)保設(shè)備科技有限公司

主營(yíng)產(chǎn)品: 一體化污水處理設(shè)備,農(nóng)村污水處理設(shè)備,MBR工藝污水處理設(shè)備,溶氣氣浮機(jī),消毒設(shè)備,含油廢固超凈裝置

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鍋爐補(bǔ)給水純水處理系統(tǒng)

2020-5-23 閱讀(159)

鍋爐補(bǔ)給水純水處理系統(tǒng):

概述:一種新型的純水處理技術(shù)(英文簡(jiǎn)稱EDI),將電滲析和離子交換技術(shù)有機(jī)結(jié)合。既利用了離子交換能深度脫鹽來(lái)克服電滲析極化而脫鹽不*,又利用電滲析極化而發(fā)生水電離產(chǎn)生H+和OH-離子實(shí)現(xiàn)樹(shù)脂自再生來(lái)克服樹(shù)脂失效后通過(guò)化學(xué)藥劑再生的缺陷[1],這種工藝可以長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)制備高純水,現(xiàn)已開(kāi)始廣泛地應(yīng)用于發(fā)電廠除鹽水處理中。

運(yùn)行中主要參數(shù)的控制:鍋爐補(bǔ)給水利用河水作為水源,適當(dāng)混合一定比例的循環(huán)水管排水;由于經(jīng)過(guò)二級(jí)反滲透處理,(英文簡(jiǎn)稱EDI),將電滲析和離子交換技術(shù)有機(jī)結(jié)合。既利用了離子交換能深度脫鹽來(lái)克服電滲析極化而脫鹽不*,又利用電滲析極化而發(fā)生水電離產(chǎn)生H+和OH-離子實(shí)現(xiàn)樹(shù)脂自再生來(lái)克服樹(shù)脂失效后通過(guò)化學(xué)藥劑再生的缺陷[1],這種工藝可以長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)制備高純水,現(xiàn)已開(kāi)始廣泛地應(yīng)用于發(fā)電廠除鹽水處理中。自2008年11月投運(yùn)兩年來(lái),不斷摸索調(diào)整運(yùn)行參數(shù),實(shí)現(xiàn)*優(yōu)運(yùn)行方式,主要調(diào)整參數(shù)如下:

1:運(yùn)行壓力的控制
為防止水錘現(xiàn)象的發(fā)生,EDI系統(tǒng)進(jìn)水壓力不應(yīng)該超過(guò)0168MPa,一般控制在0134~0150MPa之間。由于EDI內(nèi)的膜對(duì)離子有選擇性透過(guò)性,如果淡水與濃水的壓差小于01034MPa,就容易造成濃水中離子進(jìn)入淡水側(cè),影響產(chǎn)水水質(zhì)。通常情況下產(chǎn)水壓力>濃水壓>電極水壓。但是壓差也不宜超過(guò)01068MPa,太大容易造成膜的損壞。

2,電流、電壓的調(diào)整
電流、電壓的大小影響模塊內(nèi)樹(shù)脂的再生,控制過(guò)低將影響產(chǎn)水水質(zhì),過(guò)高則浪費(fèi)電能。考慮到經(jīng)濟(jì)、節(jié)能,在保證出水水質(zhì)的情況下盡可能的降低制水電耗,采用低電壓、低電流運(yùn)行,經(jīng)試驗(yàn)在進(jìn)水電導(dǎo)在1~2μs/cm左右時(shí),控制電流118A/模塊,電壓200V~230V,能保證長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)制水合格,電導(dǎo)小于0106μs/cm。

3,濃水循環(huán)的控制
EDI系統(tǒng)中設(shè)有濃水循環(huán)和加鹽裝置,一方面可增加濃水室的電導(dǎo)率,另一方面濃水室保持較高的流量也可以減少結(jié)垢的可能性。由于EDI進(jìn)水電導(dǎo)較小,硬度基本為零,結(jié)垢的傾向性較小,濃水采用低電導(dǎo)運(yùn)行,在實(shí)際運(yùn)行中證明是可行的。濃水電導(dǎo)控制在150μs/cm~180μs/cm的低限運(yùn)行,能減少氯化鈉的加入,從而達(dá)到節(jié)約成本的目的。如果保持其他條件不變,控制濃水電導(dǎo)在300μs/cm,則需要多消耗一倍的氯化鈉。

4,進(jìn)水水質(zhì)的影響

EDI模塊運(yùn)行中樹(shù)脂是一個(gè)動(dòng)態(tài)平橫狀態(tài),如果進(jìn)水電導(dǎo)升高,樹(shù)脂的工作區(qū)域逐漸向下移動(dòng),直至穿透,導(dǎo)致產(chǎn)水電導(dǎo)升高;要保證產(chǎn)水合格就必須調(diào)高整流柜電壓、電流。當(dāng)進(jìn)水中硬度也增大時(shí),濃水側(cè)就有結(jié)垢的傾向,必須加大濃排流量,為保持濃水電導(dǎo)穩(wěn)定就需加大氯化鈉的量。還有水中的硅含量也影響產(chǎn)水水質(zhì),由于硅屬于弱電解質(zhì),常溫下在水中溶解度較小,如果濃水中硅含量達(dá)到飽和,就不能深度除硅,將影響除硅效率。因此在EDI*經(jīng)濟(jì)狀態(tài)下運(yùn)行時(shí),就必須保證進(jìn)水水質(zhì),監(jiān)督好二級(jí)反滲透的出水,防止因水質(zhì)波動(dòng)引起穿透,導(dǎo)致出水不合格。實(shí)際運(yùn)行中EDI入口電導(dǎo)一般在3μs/cm以下,硬度小于015mg/L,硅小于100μg/L,能保證EDI低耗、穩(wěn)定運(yùn)行。

 

 



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