一體化水處理設(shè)備出水量在10-500噸/天，這個型號的設(shè)備一般應(yīng)用在中小型的生產(chǎn)企業(yè)，來滿足他們的用水需求。設(shè)備內(nèi)有多重過濾裝置，他們能夠有效地過濾去除原水中的各種雜質(zhì)、細菌等，保證設(shè)備的出水水質(zhì)符合國家規(guī)定的衛(wèi)生標準，符合企業(yè)的實際生產(chǎn)需要。

一、適用范圍
適用于社區(qū)、學(xué)校、工廠、等單位直飲水制取。
可用于桶裝水、礦泉水等灌裝水的制取工作。
輕紡、化工行業(yè)工藝用水/化工循環(huán)水、化工產(chǎn)品制造等凈化與制備用水。
食品飲料工業(yè)用水、飲用、飲料、啤酒、白酒、保健品等制備用水。
電子工業(yè)用水集成電路、硅晶片、顯示管等電子元器件沖洗水。
二、工藝流
工藝一：石英砂+活性炭+軟化系統(tǒng)+保安過濾器+反滲透裝置。
工藝二：石英砂+活性炭+阻垢系統(tǒng)+保安過濾器+反滲透裝置。
工藝三：絮凝沉降+石英砂+活性炭+阻垢系統(tǒng)+保安過濾器+反滲透裝置(原水較差時適用)。
工藝四：石英砂+活性炭+軟化+保安過濾器+反滲透裝置+臭氧滅菌/紫外線殺菌(生產(chǎn)及飲料制備適用)。
工藝五：石英砂+活性炭+軟化設(shè)備+保安過濾器+一級反滲透+二級反滲透+臭氧滅菌/紫外線殺菌(原水電導(dǎo)率>1000μS/cm時適用)。

三、工藝特點
總的特點是含氮、含硫和含磷高,在厭氧作用下，易生惡臭物質(zhì)。我研制地埋式生活水處理設(shè)備采用上精良的生物處理工藝，集去除BODCOD、NH3-N于一身，是目前的水處理設(shè)備。設(shè)備運行費用低廉設(shè)備可根據(jù)設(shè)定的水位控制模式，實現(xiàn)全自動運行應(yīng)用范圍居民小區(qū)、企業(yè)宿舍、高速公路服務(wù)區(qū)水處理賓館水處理、企業(yè)生活水處理煤礦生活水處理、別墅區(qū)水處理、學(xué)校水處理、新農(nóng)村社區(qū)水處理、鄉(xiāng)鎮(zhèn)水處理的區(qū)域、其他相似的水處理項目地埋式水處理設(shè)備。生活水處理設(shè)備處理后能達到國家水綜合排放標準GB8978-1996的一級排放標準中水回用標準、城鎮(zhèn)水處理廠污染物排放標準(GB18918-2002)標。
除浮游生物效率達97%。村鎮(zhèn)水處理設(shè)備設(shè)備操作人員的要求有哪些：2019-03-45要正確操作和設(shè)備，必須對操作工進行基本的培訓(xùn)，其培訓(xùn)內(nèi)容可基本概況為：三好四會，村鎮(zhèn)水處理設(shè)備操作人員的要求有哪些。微濾機面積小，生產(chǎn)能力大（250-36000m3/d），操作方便，已成功地應(yīng)用于給水及廢水處理。水處理由于存在水收集難、管網(wǎng)投資大、面積大和操作水平要求較高等突出問題，因此分散式水處理及回用集成已經(jīng)成為集中處理的一種有益而必需的補充措施?，F(xiàn)有分散式水處理設(shè)備有的僅采用單一好氧生化處理工藝，脫氮除磷不；有的采用單一曝氣、能耗偏高；有的設(shè)備集成度不高、面積較大。針對以上情況，結(jié)合生活水特點。

四、操作注意事項
一體化水處理設(shè)備能否長久正常運行重要的是維護，設(shè)備維護的細心，設(shè)備就得心應(yīng)手。所以，在設(shè)備的運行是應(yīng)該注意不要損壞機器。在設(shè)備的操作中應(yīng)該注意：
1、防止濾料進入反滲透裝置：選擇合適的過濾器出水裝置，防止過濾器漏砂漏活性炭;選擇合適的活性炭，防止使用過程中脫粉。
2、以自來水為水源的大型設(shè)備好設(shè)立獨立的供水系統(tǒng)，這樣既可以保證供水系統(tǒng)的穩(wěn)定運行，又可以減少RO系統(tǒng)啟停時對全廠供水管網(wǎng)造成的瞬間沖擊。當(dāng)RO裝置直接從原水管網(wǎng)上取水時，應(yīng)設(shè)置高低壓保護設(shè)施，因為大多數(shù)自來水管網(wǎng)的壓力波動較大。
3、首先應(yīng)考慮藥劑與藥劑之間的兼容性，其次應(yīng)考慮藥劑與膜材料的兼容性。例如，RO系統(tǒng)中經(jīng)常同時使用混凝劑，助凝劑，殺菌劑，還原劑。由于天然水中的肢體一般帶負電荷，所以通常使用帶正電荷的陽離子型混凝劑。為了防止R0裝置結(jié)垢，RO的進水端，幾乎都采用了投加阻垢劑的措施，這些阻垢劑幾乎都是帶有負電荷的。因此，應(yīng)避免陽離子型混凝劑與陰離子型的阻垢劑發(fā)生反應(yīng)，防止反應(yīng)生成的膠體化合物在膜面沉積。