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赫爾納貿(mào)易（大連）有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： PPSU接頭,PSI5接口,進(jìn)口插桶泵,車門關(guān)閉速度測(cè)試儀,jutec隔熱服,hptech燃油泵,3M摩擦墊片 |
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公司信息
- 聯(lián)系人：
- 王經(jīng)理
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- 86-0411-87187730
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- 地址：
- 海航路9號(hào)
- 郵編：
- 個(gè)性化：
- www.heilna-gmbh.com
- 網(wǎng)址：
- www.heilna.com/
| 參考價(jià) | ￥ 2600 |
| 訂貨量 | 1臺(tái) |
- 型號(hào) CR61/U
- 品牌 其他品牌
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 所在地 大連市
更新時(shí)間：2023-07-18 14:34:39瀏覽次數(shù)：2144
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| 材料形狀 | 扁線 | 產(chǎn)地 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)品認(rèn)證 | 126 | 電線最大外徑 | 895mm |
| 定時(shí)范圍 | 86 | 恒溫范圍 | 103-960°C |
| 絕緣厚度 | 75mm | 拉伸強(qiáng)度 | 7547 |
| 芯數(shù) | 7 | 搖板數(shù)量 | 643 |
| 儀器種類 | 其它振蕩器、搖床 | 振蕩幅度 | 64 |
| 振蕩頻率 | 360rpm |
赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U
赫爾納供應(yīng)美國(guó)Xsis晶體振蕩器CR55/U
赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢(shì)供應(yīng),美國(guó)總部直接采購(gòu)，近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,支持選型，為您提供一對(duì)一好的解決方案：貨期穩(wěn)定，快速報(bào)價(jià)，價(jià)格優(yōu)，在中國(guó)設(shè)有8大辦事處提供相關(guān)售后服務(wù).
公司簡(jiǎn)介：
XSIS電子公司成立于1978年4月n。在XIS,我們門設(shè)計(jì)和制造晶體振蕩器和晶體單位,用于空間,工業(yè),電信和超高溫井下應(yīng)用。
Xsis晶體振蕩器主要產(chǎn)品：
Xsis晶體振蕩器
Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品型號(hào)：
CR55/U , CR60/U , CR61/U , CR64/U , CR67/U , CR69/U
Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品特點(diǎn)：
包裝：90%Al2O3陶瓷，
密封：密封-抗氣密性
焊接重量：0.15Gms
典型，0.2Gms.
熱阻，連接到外殼(0C)：38 C/瓦特焊料回流
溫度/時(shí)間：260°℃大值為10秒。
Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品應(yīng)用：
Xsis晶體振蕩器溫晶體振蕩器XIS電子提供高晶體振蕩器在高溫應(yīng)用。XIS電子公司設(shè)計(jì)并加工了這些振蕩器,以便在-55℃至230℃的擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)工作。高溫材料和經(jīng)過驗(yàn)證的工藝被用來在溫度下提供。
Xsis晶體振蕩器用于老化的 PDA: 除非另有說明，用于老化的 PDA 應(yīng)為2% 或1個(gè)振蕩器，以大者為準(zhǔn)，適用于 + 23 °C 至 + 25 °C 的靜態(tài)測(cè)試。此外，臺(tái)達(dá)計(jì)算應(yīng)在老化后執(zhí)行，并應(yīng)計(jì)入 PDA。Xsis晶體振蕩器測(cè)量值的三角洲計(jì)算應(yīng)記錄。超過規(guī)定的增量限值的部件將被拒絕并計(jì)入 PDA。
XIS電子制造的高溫晶體振蕩器是為高溫和環(huán)境的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如,井下鉆井測(cè)量,噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)傳感器,高溫航空電子學(xué),高溫耦合高沖擊和振動(dòng)等。通過使用內(nèi)部有工藝制造的精密石英晶體,在41年以上的軍事(QLS)和空間應(yīng)用晶體振蕩器制造經(jīng)驗(yàn)中開發(fā)和改進(jìn),實(shí)現(xiàn)了的良好頻率老化特性。在操作溫度范圍內(nèi)100%測(cè)試振蕩器。
Xsis晶體振蕩器總劑量輻射: 按照 MIL-STD-883方法1019，混合微電路晶體振蕩器在暴露于100克拉德的吸收劑量輻射后，應(yīng)能第3.6段的電氣特性。包裝: 陶瓷，90% 分鐘。AL2O3.，重量: 0.4 Gms 大。熱阻，θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小鍍金鎳板。用 Sn60/Pb40釬料 perMIL-PRF-55310進(jìn)行熱釬料鍍錫是可選的，但需要額外的成本?；亓骱附?/span>: 在260 °C 下回流焊接10秒鐘不會(huì)降低性能。3.3密封性: Xsis晶體振蕩器電阻焊接，密封，泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4標(biāo)記: 零件至少應(yīng)標(biāo)記 Xsis P/N、 Xsis 籠代碼、 ESD 符號(hào)、日期代碼和序列號(hào)。3.5大額定值: 除非另有規(guī)定，大額定值應(yīng)如下: 電源電壓 -0.5至 + 4.5 VDCOperating 空氣溫度范圍 -55 oC 至 + 125 oC 儲(chǔ)存溫度 -55 oC 至 + 125 oC3.6Xsis晶體振蕩器電氣特性: 見表 I3.7雜化元素: 3.7.1石英晶體: 應(yīng)使用高級(jí)培養(yǎng)石英晶體。作為一種選擇，Xsis 將使用額外收費(fèi)的優(yōu)質(zhì) Q 掃頻石英晶體。Xsis晶體振蕩器晶體元件的評(píng)估應(yīng)符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安裝: 水晶元件應(yīng)安裝在4點(diǎn)，以便在本文規(guī)定的環(huán)境下提供足的堅(jiān)固性和性能。3.7.3被動(dòng)元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件，應(yīng)使用 R 小故障，或根據(jù) MIL-PRF-55310，S 級(jí)，或 MIL-PRF-38534，附錄 C，K 級(jí)適用的元件批量評(píng)估。3.7.4微電路模具應(yīng)來自通過 MIL-PRF-38534級(jí) K 級(jí)元件評(píng)定的批次。Xsis晶體振蕩器此外，電離輻射測(cè)試應(yīng)在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進(jìn)行。
