等離子刻蝕ICP

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更新時間：2018-09-25 14:40:18瀏覽次數：683次

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Minilock-Phantom III具有預真空室的反應離子刻蝕機

詳細介紹

Minilock-Phantom III具有預真空室的反應離子刻蝕機

可適用于單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環(huán)境提供*的刻蝕能力。它也具有多尺寸批處理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個氦冷卻層，從而達到控制基片溫度的作用。
該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產品接觸，從而提高了用戶安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而隔絕外部濕氣，防止反應室內可能發(fā)生的腐蝕。