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晶片的主要技術(shù)參數(shù):
A、晶片的伏安特性圖:
B、順向電壓(VF):施加在晶片兩端,使晶片正向?qū)ǖ碾妷?。此電壓與晶片本身和測試電流存在相應(yīng)的關(guān)系。VF過大,會(huì)使晶片被擊穿。
C、順向電流(IF):晶片在施加一定電壓后,所產(chǎn)生的正向?qū)娏?。IF的大小,與順向電壓的大小有關(guān)。晶片的工作電流在10-20mA左右。
D、逆向電壓(VR):施加在晶片上的反向電壓。
E、逆向電流(IR):是指晶片在施加反向電壓后,所產(chǎn)生的一個(gè)漏電流。此電流越小越好。因?yàn)殡娏鞔罅巳菀自斐删环聪驌舸?nbsp;
F、亮度(IV):指光源的明亮程度。
G、單位換算:1cd=1000mcd、波長:反映晶片的發(fā)光顏色。不同波長的晶片其發(fā)光顏色也就不同。單位:nm。
H、光:是電磁波的一種。波長在0.1mm-10nm之電磁波稱為光。光可分為:波長大于0.1mm稱為電波;760nm-0.1nm叫紅外光;380nm-760nm叫可見光; 10nm-380nm叫紫外光;波長小于10nm的是X線光。
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