晶片的主要技術(shù)參數(shù)： 

A、晶片的伏安特性圖： 

B、順向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向?qū)ǖ碾妷骸４穗妷号c晶片本身和測(cè)試電流存在相應(yīng)的關(guān)系。VF過(guò)大，會(huì)使晶片被擊穿。 

C、順向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產(chǎn)生的正向?qū)娏?。IF的大小，與順向電壓的大小有關(guān)。晶片的工作電流在10-20mA左右。 

D、逆向電壓（VR）：施加在晶片上的反向電壓。 

E、逆向電流（IR）：是指晶片在施加反向電壓后，所產(chǎn)生的一個(gè)漏電流。此電流越小越好。因?yàn)殡娏鞔罅巳菀自斐删环聪驌舸?nbsp;

F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。 

G、單位換算：1cd=1000mcd、波長(zhǎng)：反映晶片的發(fā)光顏色。不同波長(zhǎng)的晶片其發(fā)光顏色也就不同。單位：nm。 

H、光：是電磁波的一種。波長(zhǎng)在0.1mm-10nm之電磁波稱為光。光可分為：波長(zhǎng)大于0.1mm稱為電波；760nm-0.1nm叫紅外光;380nm-760nm叫可見(jiàn)光; 10nm-380nm叫紫外光；波長(zhǎng)小于10nm的是X線光。