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晶界是化學(xué)氣相沉積（CVD）方法制備的大面積石墨烯薄膜中普遍存在的缺陷。深入理解晶界對石墨烯的電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)的影響對發(fā)展基于石墨烯的電子、光電和熱電器件具有重要意義。盡管目前對于單個晶界對石墨烯性質(zhì)影響的研究較多，但宏觀尺度上晶粒尺寸對石墨烯電學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)的影響尚不清楚。其主要原因是基于傳統(tǒng)的析出（鎳基體）或表面吸附生長（銅基體）機制的CVD生長方法無法在大范圍內(nèi)調(diào)控石墨烯的晶粒尺寸，制備晶粒尺寸小于電子和聲子平均自由程（約1微米）的小晶粒石墨烯尤為困難。

硅油及其溶液、油膏，養(yǎng)護劑基材為甲基硅油、甲基硅油及各種改性硅油等惰性線形高有機硅聚合物。

通常應(yīng)用的硅油型養(yǎng)護劑是以硅油為主體組分，再添加甲苯、汽油等有機溶劑配制而成的硅油溶液。

以硅油添加白炭黑、硅藻土、云母粉等固體組分，混煉可制成半固體膏狀物型養(yǎng)護劑。

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很多潛在的工藝問題均與布局有關(guān)?；瘜W(xué)機械平面化（ChemicalMechanicalPlanarization，CMP）中的凹陷和浸蝕、金屬版印刷的光學(xué)近似效應(yīng)（OpticalProximityEffects）、蝕刻負載（EtchLoading）以及許多其他的工藝特性都隨著特征密度（FeatureDensity）而改變。過程工藝（ViaProcess）取決于主要層的特性，以及其本身的布局堆棧式（stacked）或非堆棧式（unstacked）。

例如，甲基氯硅烷、甲基乙氧基硅烷、氯硅烷、乙氧基硅烷等有機硅化合物，或上述有機硅烷溶于有機溶劑的有機硅烷溶液，涂覆于模具表面，即可形成抗茹結(jié)的工作膜。

有機硅烷直接用做養(yǎng)護劑具有一定的局限性，其中有機氯硅烷在成膜過程吸收空氣中的水分而水解，放出的*有腐蝕性，因此，只適用于玻璃、陶瓷等耐腐蝕的模具。

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貴州省污防處相關(guān)負責人，在*的資源開發(fā)中，貴州遺留了大量廢渣，而當初進行資源開發(fā)與利用的企業(yè)大多為瀕臨的老國有企業(yè)，無力承擔高昂的治理成本，并且，廢棄礦山或礦場地處邊遠山區(qū)，地方經(jīng)濟相對落后，導(dǎo)致廢渣污染問題較復(fù)雜，也給部分地區(qū)生態(tài)環(huán)境帶來污染隱患。比如，銅仁市萬山區(qū)，曾經(jīng)是輝煌的“中國都"。今天，在結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型、環(huán)保要求日益提高的形勢下，當?shù)卦S多礦停產(chǎn)倒閉，留下漫山遍野的含廢渣。