此測(cè)試是為了確保 CT 電路 與相關(guān)鐵芯正確連接，并且電路中沒(méi)有混淆（相位識(shí)別）。

電路連接應(yīng) 如圖 4所示。在開(kāi)始該測(cè)試之前，應(yīng)驗(yàn)證 CT 電路的單點(diǎn)接地。在所有連接負(fù)載的情況下，在一相和地之間注入 25% 的額定初級(jí)電流。測(cè)量 CT 電路所有點(diǎn)的二次電流。其他階段也應(yīng)如此。

核心標(biāo)識(shí)：

當(dāng)一個(gè) CT 有幾個(gè)用于不同目的的核心時(shí)。一次注入測(cè)試時(shí)可以通過(guò)在 CT 端子本身短路其中一個(gè)鐵芯來(lái)識(shí)別鐵芯，并檢查只有在相關(guān)負(fù)載處沒(méi)有電流。對(duì)于其他核心也可以驗(yàn)證同樣的情況。

在所有連接的負(fù)載的相間注入 25% 的額定初級(jí)電流。測(cè)量 CT 電路所有點(diǎn)的二次電流。其他階段也應(yīng)如此。

限制：

在相對(duì)地注入期間，僅應(yīng)在相應(yīng)的相線和中性線處觀察二次電流。

在相間注入期間，只能在各個(gè)相觀察到次級(jí)電流，在中性線上沒(méi)有電流。

圖 4 初級(jí)噴射/比率測(cè)試