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湖南頂立科技有限公司
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閱讀：52發(fā)布時間：2023-6-16
5月20日，南昌大學與頂立科技聯(lián)合培養(yǎng)的首屆博士研究生學位論文開題和2023屆碩士研究生學位論文答辯在頂立科技順利舉行。
參加此次博士學位論文開題的有鄭建新、霍同國兩位博士研究生；參加學位論文答辯的有胡智臣、龍振、惠枋杰、賈成成四位碩士研究生。學位論文開題和答辯專家委員會由北京科技大學材料學院耿東生教授（同時為南京信息工程大學化學與材料學院主持工作的副院長）、南昌大學物理與材料學院副院長譚敦強教授、國防科技大學空天學院劉榮軍研究員、四院第四總體設計部王思青研究員、頂立科技新材料事業(yè)部科學家譚興龍教授、頂立科技技術中心主任王艷艷高工組成。戴煜教授課題組的14名博士生與碩士生均在會場或線上聆聽答辯。
南昌大學是國家“雙"計劃世界學科建設高校、國家“211工程"重點建設高校，其材料科學與工程學科是世界學科建設點，擁有一級學科博士點、博士后流動站和“材料物理與化學"國家重點學科。
頂立科技擁有“全國博士后科研工作站"、“湖南省工程實驗室"、“湖南省新型熱工裝備工程技術研究中心"等創(chuàng)新平臺。具有豐富的智能化沉積熱工裝備研制經(jīng)驗，其自主研發(fā)的多元耦合物理場沉積設備成功應用于快速沉積GaN單晶生長用第三代半導體SiC涂層基座制備，同時在大尺寸復雜構件上快速沉積SiC方面經(jīng)驗豐富。
兩位博士研究生的博士學位論文將分別涉及航空航天用耐燒蝕C/C復合材料的制備及性能研究、半導體用SiC涂層的制備及性能等研究。四位碩士研究生的學位論文工作分別涉及第三代半導體SiC單晶生長所需高純SiC粉制備、第三代半導體SiC單晶生長所需TaC涂層制備、高溫氣冷堆所需耐磨SiC涂層制備、制備超高純碳粉所需的高效節(jié)能新型連續(xù)推舟式提純爐設計及提純工藝模擬與驗證。所有博、碩論文工作均實驗工作量大，依托頂立科技的科研和生產(chǎn)平臺完成，不僅具有一定創(chuàng)新性，也切合國家戰(zhàn)略需求和地方優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，結合了南昌大學和頂立科技優(yōu)勢學科和優(yōu)勢方向，促進了頂立科技高純SiC粉體、TaC涂層、SiC涂層、高純碳粉及其熱工裝備的研發(fā)。答辯委員會在聽取開題匯報和學位論文內(nèi)容匯報后，通過質詢、討論并投票，一致同意兩位博士生開題通過，四位碩士生通過論文答辯并建議授予工程碩士學位。
近年來，南昌大學與頂立科技展開校企合作，通過聯(lián)合培養(yǎng)博士生、研究生，實現(xiàn)校企資源優(yōu)化共享，打造了人才培養(yǎng)雙向新平臺，助力產(chǎn)學研深度融合。
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