近日，實驗型噴霧干燥廠家有消息稱，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五"規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。這一消息再次將第三代半導(dǎo)體映入人們的視線。 第三代半導(dǎo)體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的代、第二代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比，第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等的性能，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，是世界各國半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的熱點。 目前，第三代半導(dǎo)體材料正在引起清潔能源和新一代電子信息技術(shù)的革命，無論是照明、家用電器、消費電子設(shè)備、新能源汽車、智能電網(wǎng)、還是用品，都對這種高性能的半導(dǎo)體材料有著極大的需求。根據(jù)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展情況，其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領(lǐng)域，每個領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同。 科研人員披荊斬棘，沖破* 2014 年，美國總統(tǒng)宣布成立“下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心";同期，日本建立了“下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟;歐洲啟動了產(chǎn)學(xué)研項目“LASTP OWER"，由意法半導(dǎo)體公司牽頭，協(xié)同來自意大利、德國、法國、瑞典、希臘和波蘭等六個歐洲國家的私營企業(yè)、大學(xué)和公共研究中心，聯(lián)合攻關(guān)SiC和GaN的關(guān)鍵技術(shù)。 基于第三代半導(dǎo)體的廣闊應(yīng)用前景、巨大的市場需求和經(jīng)濟效益，繼半導(dǎo)體照明以后，美國將第三代半導(dǎo)體材料的電子電力器件應(yīng)用提升到國家戰(zhàn)略的高度，確保美國在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢地位。由于第三代半導(dǎo)體材料及其制作的器件的*性、實用性和戰(zhàn)略性，許多發(fā)達國家將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點。目前美歐日具備較為成熟的GaN半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)體系。 目前我國第三代半導(dǎo)體材料市場仍以日美歐廠商為主角，但近幾年我國已經(jīng)開始大力扶持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。在國家 “863計劃"，《國家半導(dǎo)體照明工程》《“十三五"材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》等政策的支持下，第三代半導(dǎo)體的研究取得了一系列突破性進展。
