污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
伯東企業(yè)（上海）有限公司
會(huì)員1.png)
伯東企業(yè)（上海）有限公司
閱讀：576發(fā)布時(shí)間：2020-10-16
為了獲取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射沉積技術(shù)鍍制 Ta2O5 薄膜進(jìn)行研究.
其系統(tǒng)工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.
其中雙離子源中的一個(gè)離子源適用于濺射靶材, 另個(gè)離子源是用于基材的預(yù)清洗.
用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:
伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：
射頻離子源型號(hào) | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
用于預(yù)清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 3000 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào)
| 霍爾離子源 eH3000 |
Cathode/Neutralizer | HC |
電壓 | 50-250V |
電流 | 20A |
散射角度 | >45 |
可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
氣體流量 | 5-100sccm |
高度 | 6.0“ |
直徑 | 9.7“ |
水冷 | 可選 |
其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10-5Pa, 經(jīng)推薦采用伯東分子泵組 Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：
進(jìn)氣法蘭 | 氮?dú)獬樗?br /> N2,l/s | 極限真空 hpa | 前級(jí)泵 型號(hào) | 前級(jí)泵抽速 | 前級(jí)真空 |
DN 40 ISO-KF | 35 | < 1X10-7 | Pascal 2021 | 18 | AVC 025 MA |
運(yùn)行結(jié)果：
伯東 KRI 雙離子源輔助離子束濺射技術(shù)可以制備不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口的代理商.
環(huán)保在線 設(shè)計(jì)制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼