檢測(cè)范圍： 

粒徑范圍 0.3nm-10.0μm

ZETA電位 +/- 500mV

亞微米粒徑電位檢測(cè)儀是在原有的經(jīng)典型號(hào)380ZLS&S基礎(chǔ)上升級(jí)配套而來，采用動(dòng)態(tài)光散射（Dynamic Light Scattering, DLS）原理檢測(cè)分析顆粒的粒度分布，同機(jī)采用多普勒電泳光散射原理（Doppler Electrophoretic Light Scattering, DELS）檢測(cè)ZETA電位。粒徑檢測(cè)范圍 0.3nm – 10μm，ZETA電位檢測(cè)范圍為+/- 500mV。其配套粒度分析軟件復(fù)合采用了高斯（ Gaussian）單峰算法和擁有技術(shù)的 Nicomp 多峰算法，對(duì)于多組分、粒徑分布不均勻分散體系的分析具有*優(yōu)勢(shì)。ZETA電位模塊使用雙列直插式方形樣品池和鈀電極，一個(gè)電極可以使用成千上萬次。另外，采用可變電場(chǎng)適應(yīng)不同的樣品檢測(cè)需求。既保證檢測(cè)精度，亦幫用戶大大節(jié)省檢測(cè)成本。

亞微米粒徑電位檢測(cè)儀優(yōu)勢(shì)

1、APD&PMT雙檢測(cè)器；

2、多角度檢測(cè)（multi angle）模塊；

3、可搭配不同功率光源；

4、雙列直插式電極和樣品池，可反復(fù)使用成千上萬次；

5、鈀電極；

6、精確度高，接近樣品真實(shí)值；

7、復(fù)合型算法：

 高斯（Gaussion）單峰算法的Nicomp多峰算法自由切換

 相位分析法（PALS)和頻譜分析法（FALS）自由切換

8、快速檢測(cè)，可以追溯歷史數(shù)據(jù)；

9、結(jié)果數(shù)據(jù)以多種形式和格式呈現(xiàn)；

10、符合USP,CP等個(gè)多藥典要求；

11、無需校準(zhǔn)；