4電弧提拉法單晶生長爐系列是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對(duì)樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點(diǎn)的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

4電弧提拉法單晶生長爐系列

l 共有4個(gè)電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場（電弧槍都帶有冷卻水）

l 鎢電極直徑為Φ4mm

l 電弧腔體對(duì)樣品的角度和距離可手動(dòng)調(diào)節(jié)

l 起弧電源： 18 V / 185 A    電壓380V

l 熔煉溫度可達(dá)3000℃

?合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年，是美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院興辦的*。 公司目前主要從事氧化物晶體（A-Z）系列材料研發(fā)生產(chǎn)、濺射靶材制備和材料實(shí)驗(yàn)室及電池研發(fā)全套設(shè)備。公司從成立之初研發(fā)高溫超導(dǎo)薄膜基片大尺寸LaAlO3單晶做起，目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶體是世界供應(yīng)商。設(shè)備研發(fā)的各種高溫爐，大尺寸高溫高壓爐，熱等靜壓爐，單晶生長爐等，用于石墨烯、高通量、蒸發(fā)鍍膜、高溫超導(dǎo)薄膜、超導(dǎo)塊材和線材的制備設(shè)備，涉及新能源材料，電池制備等成套設(shè)備，并為科研工作者提供材料研究解決方案，已經(jīng)成為企業(yè)。