當(dāng)前位置：武漢賽斯特精密儀器有限公司>>半導(dǎo)體測(cè)試儀器解決方案>>半導(dǎo)體前道儀器設(shè)備>>紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

返回列表頁

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地武漢市

在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：左斌斌查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2021-04-28 14:42:13瀏覽次數(shù)：351次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  半導(dǎo)體測(cè)試儀器解決方案

半導(dǎo)體前道儀器設(shè)備

半導(dǎo)體后道儀器設(shè)備

半導(dǎo)體檢測(cè)儀器設(shè)備

全部產(chǎn)品列表

  其他品牌

武漢賽斯特精密儀器有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：1668條

所在地區(qū)：湖北武漢市

聯(lián)系人：左斌斌（銷售經(jīng)理）

詢價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

加工定制	是

紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī) 是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備，可以提供理想的刻蝕速度，但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。

詳細(xì)介紹

紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

SPTS作為*的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設(shè)備的供應(yīng)商，SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產(chǎn)和開發(fā)要求。通過一系列的技術(shù)的開發(fā)，SPTS能為客戶提供一系列的*的工藝，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的端封裝（3D封裝和芯片級(jí)封裝）。

深硅刻蝕工藝的主要過程包括：

1）鈍化處理過程（C4F8等離子體）

一階段：由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2）刻蝕過程（SF6等離子體）

第二階段：由于離子體的定向運(yùn)動(dòng)，基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。

第三階段：暴露的硅表面就會(huì)被F系物刻蝕掉，SF6*提供等離子體，來實(shí)現(xiàn)高深寬比的刻蝕。

紅外后對(duì)準(zhǔn)雙面刻蝕機(jī)

深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS，*封裝（TSV）,功率器件等等。

SPTS提供一系列的設(shè)備來滿足客戶研發(fā)到生產(chǎn)不同的要求。包括ICP-SR/SRE系列，而Pegasus則是大量生產(chǎn)所使用的設(shè)備。

Pegasus是行業(yè)先的深槽刻蝕設(shè)備，可以提供理想的刻蝕速度，但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過利軟件“boost and delay”和利 “parameter ramping” 以及絕緣硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的工藝控制。

parameter ramping技術(shù)：

實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過程參數(shù)，以達(dá)到理想的側(cè)面輪廓。