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可控硅可靠性測(cè)試及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)-高溫高濕試驗(yàn)（三）

閱讀：65發(fā)布時(shí)間：2023-1-28

三、高溫高濕試驗(yàn)

目的：模擬非密封器件在高溫高濕環(huán)境下工作，檢驗(yàn)塑封產(chǎn)品抗水汽侵入及腐蝕的能力。

條件： 85℃/85%RH，168hrs

失效機(jī)理：器件在高溫高濕的環(huán)境下，加速了芯片鍵合及表面的電解腐蝕，評(píng)估器件在存儲(chǔ)環(huán)境中對(duì)水汽的抵抗能力。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)： JESD22-A101-B

適用的研發(fā)和工藝改進(jìn)：

1、高溫?cái)U(kuò)散工藝技術(shù)的改進(jìn)（重點(diǎn)是高溫長(zhǎng)時(shí)間擴(kuò)散，如隔離擴(kuò)散）包括可能引起硅片內(nèi)部隱裂的工藝技術(shù)改進(jìn)

2、包封工藝技術(shù)、框架處理工藝技術(shù)的改進(jìn)

3、塑封料、框架的變更

4、新產(chǎn)品（含新的封裝結(jié)構(gòu)）

5、封裝工藝過(guò)程中的污染



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