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可控硅可靠性測試及測試標準-溫度沖擊（循環(huán)）試驗（一）

閱讀：351發(fā)布時間：2023-1-31

可控硅可靠性測試及測試標準--環(huán)境類試驗項目

可靠性試驗是評估產(chǎn)品一定時間內(nèi)可靠性水平,暴露存在的問題?？煽啃允窃O計并制作在產(chǎn)品內(nèi)的，而不是試驗出來的。可靠性試驗只能降低用戶的風險。新的可靠性評估方法是為評估生產(chǎn)線的設計及工藝水平的，相信合格的生產(chǎn)線能把可靠性做到產(chǎn)品中去。

一、溫度沖擊（循環(huán)）試驗(TC /TS)測試

目的：模擬環(huán)境溫度變化或開關機造成的溫度變化，考核溫度交替變化對產(chǎn)品機械/電性能的影響，暴露粘片/鍵合/塑封等封裝工藝/材料缺陷，及金屬化/鈍化等圓片工藝問題。

條件：-65℃~150℃ （500cycle/1000cycle)

失效機理：不同材料間熱膨脹系數(shù)差異造成界面熱匹配問題，造成金線斷裂、鍵合脫落（開路）、塑封開裂（密封性失效）、界面分層（熱阻增大） 、鍵合線開短路 、鈍化層開裂、硅鋁接觸開路、芯片背面劃痕繼續(xù)長大導致芯片開裂。

測試標準： JESD22-A104-C



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