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詳細(xì)介紹
HG-EM多入射角激光橢偏儀是針對(duì)光伏太陽(yáng)能電池**研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的**型多入射角激光橢偏儀?？蓮V泛應(yīng)用于晶體硅太陽(yáng)電池、薄膜太陽(yáng)電池等。
HG-EM多入射角激光橢偏儀用于測(cè)量絨面單晶硅或多晶硅太陽(yáng)電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測(cè)量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k。典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體、微電子、平板顯示等。
HG-EM激光橢偏儀融合多項(xiàng)科技專(zhuān)li技術(shù)，采用一體化樣品臺(tái)技術(shù)，兼容測(cè)量單晶和多晶太陽(yáng)電池樣品，并實(shí)現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡(jiǎn)單安全。
特點(diǎn)：
· 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測(cè)量
· 原子層量級(jí)的*靈敏度和準(zhǔn)確度
· 百毫秒量級(jí)的快速測(cè)量
· 簡(jiǎn)單方便安全的儀器操作
· 一鍵式操作
技術(shù)指標(biāo)：
項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
儀器型號(hào) | HG-EM激光橢偏儀 |
激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne Laser) |
膜層厚度精度（1） | 0.01nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
0.03nm (對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
折射率精度（1） | 1x10-4 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
3x10-4(對(duì)于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
單次測(cè)量時(shí)間 | 與測(cè)量設(shè)置相關(guān)，典型0.6s |
結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有*的準(zhǔn)確度） |
激光光束直徑 | 1mm |
入射角度 | 40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié)，步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 | 一體化樣品臺(tái)輕松變換可測(cè)量單晶或多晶樣品； |
可測(cè)量156*156mm電池樣品上每個(gè)點(diǎn) | |
Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm | |
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
樣品對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) | |
樣品臺(tái)尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
兼容125*125mm和156*156mm的太陽(yáng)能電池樣品 | |
**的膜層測(cè)量范圍 | 粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān) |
光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) |
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