DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。

DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)★的優(yōu)勢(shì)。  

特點(diǎn)：

※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)； 

※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性；

※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；

※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；

※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)；

※ 多種可選封裝方式。

參數(shù)：

※ 溫度范圍：3K~500K；

※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640

※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；

※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。

※ 反向電壓高達(dá)：75V；

※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；

※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；

※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；

※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；

※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。