電機(jī)節(jié)能改造等級(jí)如何區(qū)分 電機(jī)傳動(dòng)
TYB系列 ￥1000污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過(guò)濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過(guò)濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
佛山市法拉特傳動(dòng)科技有限公司
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中國(guó)臺(tái)灣法拉特FLT高精密斜齒行星減速機(jī)近幾年來(lái)由于國(guó)際能源危機(jī)及地球環(huán)境改善帶來(lái)對(duì)新能源，可再生能源的鉅大需求，光伏產(chǎn)業(yè)齣現(xiàn)*的增長(zhǎng)，半導(dǎo)體硅材料的生產(chǎn)又進(jìn)入新的發(fā)展期，因此大力加速發(fā)展可再生能源.硅光伏產(chǎn)業(yè)及共基礎(chǔ)材料---高純半導(dǎo)體硅（單晶.多芯片）材料已成爲(wèi)當(dāng)務(wù)之急，而硅材料的生長(zhǎng)離不開(kāi)單晶硅爐和多晶硅爐的設(shè)備支持。
二、單晶硅爐的工藝流程簡(jiǎn)介、技術(shù)需求及方案的分析
中國(guó)臺(tái)灣*法拉特FLT高精密大扭矩行星減速機(jī)，中國(guó)臺(tái)灣FLT法拉特伺服電機(jī)行星式減速機(jī) 近幾年來(lái)由于國(guó)際能源危機(jī)及地球環(huán)境改善帶來(lái)對(duì)新能源，可再生能源的鉅大需求，光伏產(chǎn)業(yè)齣現(xiàn)*的增長(zhǎng)，半導(dǎo)體硅材料的生產(chǎn)又進(jìn)入新的發(fā)展期，因此大力加速發(fā)展可再生能源.硅光伏產(chǎn)業(yè)及共基礎(chǔ)材料---高純半導(dǎo)體硅（單晶.多芯片）材料已成爲(wèi)當(dāng)務(wù)之急，而硅材料的生長(zhǎng)離不開(kāi)單晶硅爐和多晶硅爐的設(shè)備支持。
二、單晶硅爐的工藝流程簡(jiǎn)介、技術(shù)需求及方案的分析
2-1、單晶硅爐的工藝流程簡(jiǎn)介
單晶硅爐爐的組成組件可分成四部分
（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱組件，爐壁
（2）晶棒及坩堝拉陞鏇轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線(xiàn)及拉陞鏇轉(zhuǎn)組件
（3）氣氛壓力控製：包括氣體流量控製，真空係統(tǒng)及壓力控製閥
（4）控製係統(tǒng)：包括偵測(cè)感應(yīng)器及電
腦控製係統(tǒng)
加工工藝：
加料→熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng)
（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類(lèi)依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類(lèi)有硼，磷，銻，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。
（3）縮頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉?？s頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯(cuò)線(xiàn)與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。
（4）放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完*之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
（5）等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完*和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱(chēng)為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
（6）尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開(kāi)，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線(xiàn)。于是為了避免此問(wèn)題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開(kāi)。這一過(guò)程稱(chēng)之為尾部生長(zhǎng)。長(zhǎng)完的晶棒被升*爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。
技術(shù)需求和方案分析
單晶硅爐上面共需要四個(gè)軸驅(qū)動(dòng)，其中2個(gè)使用的是伺服控制系統(tǒng)，另外2個(gè)使用的是直流驅(qū)動(dòng)裝置實(shí)現(xiàn)；該設(shè)備根據(jù)工藝需要，設(shè)備分為爐架、主爐室、副室、提拉旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，下隨動(dòng)機(jī)構(gòu)及液壓提升機(jī)構(gòu)、真空及氣路系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、電加熱和運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)等諸多機(jī)構(gòu)。通過(guò)系統(tǒng)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高科技產(chǎn)品的集成。其次設(shè)備采用了許多較新的機(jī)構(gòu)。如上提拉旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，通過(guò)花鍵軸配繞絲輪結(jié)合電刷環(huán)，在很小的體積上實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定提拉和旋轉(zhuǎn)，滿(mǎn)足工藝需求且降低了設(shè)備高度，再有下隨動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)備采用精密滾珠絲杠配合坩堝的磁流體密封，運(yùn)動(dòng)保持部件置于真空室外，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)與真空密封的*結(jié)合，使用穩(wěn)定可靠，還有液壓提升機(jī)構(gòu)對(duì)副室翻板閥的保持采用無(wú)自鎖，爐內(nèi)有漏硅等壓力驟增的緊急情況可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)泄壓提高了設(shè)備的安全可靠性等等。在電器控制上設(shè)備采用可編程操作，代替了傳統(tǒng)的邏輯編程繼電器。電器控制系統(tǒng)由國(guó)產(chǎn)機(jī)大多采用的單片機(jī)，提升到IRCON和CCD工控自動(dòng)化控制三個(gè)類(lèi)型，提高了設(shè)備的自動(dòng)化控制水平。
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