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日本AET微波(高頻)介電常數(shù)分析儀, 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國(guó)CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)， 此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。 日本進(jìn)口同軸共振腔介電常數(shù)測(cè)試儀
日本進(jìn)口同軸共振腔介電常數(shù)測(cè)試儀
介電常數(shù)分析儀器簡(jiǎn)介：
日本AET微波(高頻)介電常數(shù)分析儀, 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國(guó)CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)，深圳田野儀器-中國(guó)市場(chǎng)總代理 此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。
一、技術(shù)參數(shù)：
可測(cè)試頻率范圍： 800M～40GHz
介電常數(shù)Epsilon：1-15， 準(zhǔn)確度： ±1%，
介電損耗tangent delta：0.1-0.001， 準(zhǔn)確度：±5%
共有兩種同軸共振腔，每個(gè)腔可測(cè)五個(gè)頻點(diǎn):
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特點(diǎn)：
同軸共振腔適用于不同形狀樣品。
包括薄膜樣品的非破壞性測(cè)量，使用簡(jiǎn)易的逐步操作，內(nèi)置的反饋振蕩器電路可實(shí)現(xiàn)精確的量測(cè)。
三、應(yīng)用領(lǐng)域：
高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ；化學(xué)制品；
薄膜與新材料；半導(dǎo)體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；納米材料；光電材料等
日本進(jìn)口同軸共振腔介電常數(shù)測(cè)試儀
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