鎳基合金晶間腐蝕檢測(cè)貴不貴,江蘇隱石檢測(cè)擁有2000平米的現(xiàn)代化綜合性的實(shí)驗(yàn)室,專業(yè)從事金屬腐蝕檢測(cè),擁有自己的數(shù)控加工中心及的檢測(cè)設(shè)備100余臺(tái),為更精確的提供檢測(cè)數(shù)據(jù)奠定基礎(chǔ)。今天就為大家詳細(xì)講解下金屬腐蝕檢測(cè)相關(guān)內(nèi)容。
晶間腐蝕是一種局部腐蝕。沿金屬晶界向內(nèi)延伸的腐蝕。這主要是由于晶粒表面和內(nèi)部的化學(xué)成分不同,以及晶界雜質(zhì)或內(nèi)應(yīng)力的存在。晶間腐蝕破壞了晶粒間的結(jié)合,大大降低了金屬的機(jī)械強(qiáng)度。
將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃,固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%,然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體,不會(huì)產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內(nèi),碳的固溶體不超過0.02%,過飽和碳將從奧氏體中或部分析出。這時(shí),碳會(huì)擴(kuò)散到晶界和結(jié)合鐵和鉻在晶界形成硬質(zhì)合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內(nèi)擴(kuò)散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時(shí)間補(bǔ)充,因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對(duì)于不銹鋼來說,由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞,晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū),而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質(zhì)中,晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大,陽極面積比小,加速了晶界區(qū)域的腐蝕。
鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會(huì)降低C的活性,降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會(huì)提高C的活性,降低C在奧氏體中的溶解度,促進(jìn)碳化物的析出。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?,原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
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