不銹鋼點(diǎn)腐蝕檢測(cè)市場(chǎng)價(jià)格,工業(yè)的發(fā)展,自然需要質(zhì)量的保證,為此金屬檢測(cè)就成為一門(mén)深受工業(yè)界重視的學(xué)科。我們只有通過(guò)檢測(cè)吃透金屬的特性,才能制造出更高質(zhì)量的金屬制品,隨著現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)的不斷發(fā)展,各種新型的檢測(cè)技術(shù)也隨之被晶間腐蝕檢測(cè)挖掘而出。
鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因?yàn)樗麄兊挠H和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個(gè)小時(shí)反應(yīng)Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內(nèi),加熱不會(huì)形成碳化鉻。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強(qiáng)度低于Ti和Nb穩(wěn)定不銹鋼。當(dāng)強(qiáng)度不足時(shí),可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強(qiáng)度高,而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點(diǎn)蝕性能。
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