晶間腐蝕檢測實驗，采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對材料的晶間腐蝕檢測，能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強(qiáng)氧化介質(zhì)中也會發(fā)生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當(dāng)p雜質(zhì)達(dá)到100ppm或Si雜質(zhì)達(dá)到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強(qiáng)氧化劑介質(zhì)的作用下會溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會出現(xiàn)晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴(kuò)散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。
非敏化(固溶體)晶間腐蝕是指Cr - Ni奧氏體不銹鋼在高溫(1000 ~ 1150℃)加熱和保溫后快速冷卻后的固溶體狀態(tài)。不需要敏化(焊接或450 ~ 850°C敏化溫度加熱)處理，在某些腐蝕性介質(zhì)中也會發(fā)生相同的晶間腐蝕。產(chǎn)生非敏化晶間腐蝕的Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅包括普通不銹鋼，還包括耐敏化晶間腐蝕的超低碳不銹鋼和含有穩(wěn)定元素Ti、Nb的不銹鋼。
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