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中國臺灣松木MOS管 ME13N10A數據手冊規(guī)格書ME13N10A中文資料pdf

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產品型號ME13N10A

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更新時間：2022-03-24 10:37:19瀏覽次數：152次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經營模式：代理商

商鋪產品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯系人：楊澤銘（銷售經理）

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產品簡介

TheME13N10AistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME13N10A is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,ａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應用：

●DC/DC轉換器

●負荷開關

●LCD/LED顯示逆變器

● RDS(ON) ≦145mΩ@VGS=10V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關鍵詞：負荷開關逆變器