| 功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管 | 1 | 漏源間反向擊穿電壓 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只測(cè)： -3.5kV～3.5kV |
| 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407 | 只測(cè)： -3.5kV～3.5kV |
| 2 | 通態(tài)電阻 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只測(cè)： 0～10k?,,0～1500A |
| 3 | 閾值電壓 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3404 | 只測(cè)： -10V～10V |
| 4 | 漏極反向電流 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只測(cè)： -100mA～100mA |
| 5 | 柵極漏電流 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只測(cè)： -100mA～101mA |
| 6 | 體二極管壓降 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只測(cè)： 0A～1500A |
| 7 | 跨導(dǎo) | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只測(cè)： 1ms～1000s |
| 8 | 開關(guān)時(shí)間 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只測(cè)： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A |
| 9 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3472 | 只測(cè)： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A |
| 10 | 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測(cè)： 10ns～2µs |
| 11 | 體二極管反向恢復(fù)電荷 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測(cè)： 1nC～100µC |
| 12 | 柵極電荷 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只測(cè)： Qg：0.5nC～500nC |
| 13 | 單脈沖雪崩能量 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只測(cè)： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A |
| 14 | 柵極串聯(lián)等效電阻 | 功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測(cè)試方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只測(cè)： 0.1Ω～50Ω |
| 15 | 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只測(cè)： Ph：0.1W～250W |
| 16 | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3161 | 只測(cè)： Ph：0.1W～250W |
| 17 | 輸入電容 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 18 | 輸出電容 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 19 | 反向傳輸電容 | 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz |
| 20 | 老煉試驗(yàn) | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測(cè)： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃ |
| 21 | 溫度，反偏和操作壽命試驗(yàn) JESD22-A108F:2017 | 只測(cè)： HTRB和HTGB試驗(yàn) |
| 22 | 間歇功率試驗(yàn) | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測(cè)： 條件D（間歇功率） |
| 23 | 穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn) | 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 |
|
會(huì)員1.png)
