型號：OTF-1200X-III-HPCVD-SE
產(chǎn)品概述：OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD（物理/化學(xué)混合氣相沉積）系統(tǒng)，帶有*的原料推進(jìn)系統(tǒng)和1350℃原位蒸發(fā)槍。原料推進(jìn)系統(tǒng)和同時/依次將3種反應(yīng)原料推入到爐管中（可設(shè)定推入位置和推進(jìn)速度），以達(dá)到適合的蒸發(fā)溫度。溫度可控型原位蒸發(fā)槍，溫度可達(dá)1350℃，也可多固體原料原位蒸發(fā)。所以此系統(tǒng)可對4種固體或液體源供蒸發(fā)。此設(shè)備適合各種HPCVD實驗，特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏，用戶可設(shè)置進(jìn)料速度，進(jìn)料位置及實時監(jiān)測蒸發(fā)原料的溫度。
| 爐體結(jié)構(gòu) | *的原料推進(jìn)系統(tǒng)可在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下同時/依次推進(jìn)3種原料進(jìn)入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），溫度可控型原位蒸發(fā)槍，溫度可達(dá)1350℃，適合用HPCVD法生長多層膜
·爐體為三溫區(qū)開啟式管式爐，由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制每個溫區(qū)，其控溫精度可達(dá)±0.1℃
·雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)
·采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，表面涂有高溫氧化鋁涂層，可提高加熱效率，和延長使用壽命
·爐體開啟式設(shè)計，便于跟換爐管，并且?guī)в虚_啟斷電功能，保證操作安全
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| 電源要求 | ·單相208~240VAC
·功率9KW（需60A的空氣開關(guān)） |
| 加熱區(qū) | ·三個加熱區(qū)，每個加熱區(qū)長度：300mm
·總加熱區(qū)長度：900mm |
| 恒溫區(qū) | 恒溫區(qū)長度：625mm(±2℃）
（三個溫區(qū)設(shè)置同樣的加熱溫度） |
| 工作溫度 | ·工作溫度：1200℃（<1hr）
·連續(xù)工作溫度：100~1100℃ |
| 升溫速率 | ≤ 10°C /min |
| 原料推進(jìn)系統(tǒng)&蒸發(fā)槍 | *的原料推進(jìn)系統(tǒng)可在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下同時/依次推進(jìn)3種原料進(jìn)入到管式爐中（并可實時監(jiān)測其溫度），利用推送系統(tǒng)可將3個不同蒸發(fā)源同時/依次送入3個獨立的小石英管中，精確地找到所需溫度，保證實驗精確性和重復(fù)性
·蒸發(fā)槍：采用鎢線圈加熱，氧化鋁坩堝裝料，其溫度可達(dá)1350℃，控溫精度±1℃
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| 坩堝移動控制 | ·坩堝的移動速度和移動距離通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動，可設(shè)定控制
·移動距離: 530mm （精度1mm） |
| 沉積樣品臺 | ·特殊設(shè)計樣品臺，帶有手動遮擋板，放置原料交替試導(dǎo)致所制備樣品污染
·可手動調(diào)節(jié)樣品臺在爐管中的位置
·可選擇水平樣品臺，或傾斜式樣品臺
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| 溫度控制系統(tǒng) | ·三個溫區(qū)由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制，采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，可設(shè)置30段升降溫程序
·歐陸儀表控制，控溫精度可達(dá)±0.1℃
·帶有超溫和斷偶報警
·三個K型熱偶（每個溫區(qū)1個）
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| 管式爐配置 | ·爐管，采用高純石英管，尺寸為Φ130（外）mm×Φ122（內(nèi)）mm×1200mm（長）
·配有2個氧化鋁管堵，防止熱輻射（加熱前管堵必須放入到爐管內(nèi)）
·可選購石英管堵，保證反應(yīng)環(huán)境潔凈
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| 真空計 | ·防腐型復(fù)合真空計（皮拉尼和隔膜規(guī)）
·測量范圍：3.8E-5 ~ 1125 torr |
| 真空泵&真空度 | ·真空度：10E-2 torr（采用機(jī)械泵），10-E5 torr(采用分子泵)
可在本公司選用各種真空泵 |
| 氣體流量控制系統(tǒng) | 配有4通道氣體流量控制系統(tǒng)，采用觸摸屏設(shè)定參數(shù)
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| 循環(huán)水冷機(jī) | 設(shè)備采用水冷不銹鋼密封法蘭，所以配有循環(huán)水冷機(jī)
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| 設(shè)備尺寸 | 4000×600×1500m
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| 質(zhì)量認(rèn)證 | ·CE認(rèn)證
·所有電器元件（≧24V）都通過了UL/MET/CSA認(rèn)證
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