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更新時(shí)間：2023-01-01 09:06:26瀏覽次數(shù)：266次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線儀器名稱：?jiǎn)尉射線分析儀型號(hào)：日本理學(xué)XtalAB檢測(cè)項(xiàng)目：晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)采集，晶體結(jié)構(gòu)分析，晶胞參數(shù)，高溫，常溫性能指標(biāo)：1.標(biāo)準(zhǔn)晶體結(jié)構(gòu)測(cè)定數(shù)據(jù)還原結(jié)果：殘差因子≤5%2.標(biāo)準(zhǔn)晶體結(jié)構(gòu)解析結(jié)果：≤0.05應(yīng)用范圍：X射線單晶衍射儀用以測(cè)定一個(gè)新化合物(晶態(tài))分子的準(zhǔn)確三維空間,包括鍵長(zhǎng)、鍵角、構(gòu)型、構(gòu)像、成鍵電子密度及分子在晶格中的實(shí)際排布狀況
儀器名稱： | 單晶X射線分析儀 | 型號(hào)： | 日本理學(xué)XtalAB |
檢測(cè)項(xiàng)目： | 晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)采集，晶體結(jié)構(gòu)分析，晶胞參數(shù)， 高溫，常溫 | ||
性能指標(biāo)： | 1.標(biāo)準(zhǔn)晶體結(jié)構(gòu)測(cè)定數(shù)據(jù)還原結(jié)果：殘差因子 ≤5% 2. 標(biāo)準(zhǔn)晶體結(jié)構(gòu)解析結(jié)果：≤0.05 | ||
應(yīng)用范圍： | X射線單晶衍射儀用以測(cè)定一個(gè)新化合物(晶態(tài))分子的準(zhǔn)確三維空間, 包括鍵長(zhǎng)、鍵角、構(gòu)型、構(gòu)像、成鍵電子密度及分子在晶格中的實(shí)際排布狀況。該儀器用于化學(xué)、藥物學(xué)、物理學(xué)、分子生物學(xué)和材料科學(xué)等方面的研究，用于中小分子直至大分子晶體的分子結(jié)構(gòu)分析、構(gòu)型測(cè)定和精密電子密度測(cè)定。 | ||
制樣要求 | 樣品必須是單晶 | ||
PS：送樣請(qǐng)附帶“委托測(cè)試單"。
測(cè)試提示：
1.可開(kāi)正規(guī)測(cè)試發(fā)票，附帶測(cè)試清單。
2.有腐蝕性，毒性，或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員，測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷，測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化；
3.客戶需提供詳細(xì)的樣品資料，包括元素，主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論，商定最終測(cè)試條件；
4.測(cè)試人員與顧客通過(guò)或郵件溝通，出現(xiàn)測(cè)試糾紛，郵件或記錄將作為重要的仲裁依據(jù)；請(qǐng)加和技術(shù)人員交流：。
5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。
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