產(chǎn)品介紹

 平面研磨法是將氬離子束傾斜照射到樣品表面，并將氬離子束中心和樣品旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行偏心調(diào)整，實(shí)現(xiàn)廣域加工的方法。氬離子束的照射角度(θ)可設(shè)置為0°～90°4) 。當(dāng)照射角度≥80°時(shí)，離子束照射角度與樣品加工面近乎平行，因此，可以減少由于晶體取向和成分蝕刻速率差造成的凹凸不平，形成相對(duì)平滑的加工面。這種方法常用于去除機(jī)械研磨加工對(duì)樹脂包埋樣品造成的研磨痕跡，實(shí)現(xiàn)樣品的精加工。照射角度較小時(shí)，可以利用蝕刻速率差，凸顯樣品的凹凸特性。通過樣品表面的凹凸形貌，判斷多層膜的層結(jié)構(gòu)等。

產(chǎn)品特性：

1、截面研磨法
截面研磨法是在樣品和離子槍之間安裝一個(gè)遮擋板，使樣品局部突出遮擋板邊緣，然后用離子束照射樣品。沿遮擋板邊緣濺射突出邊緣的部分，由此可獲得切割均勻的截面。使樣品突出遮擋板數(shù)十微米至100微米，并以±15～40°旋轉(zhuǎn)樣品桿，以防產(chǎn)生離子研磨痕跡（細(xì)條紋）。截面研磨普遍適用于塊狀樣品和多層結(jié)構(gòu)等機(jī)械研磨難以精加工處理的樣品。

2、平面研磨法
平面研磨法是將氬離子束傾斜照射到樣品表面，并將氬離子束中心和樣品旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行偏心調(diào)整，實(shí)現(xiàn)廣域加工的方法3) 。氬離子束的照射角度(θ)可設(shè)置為0°～90°4) 。當(dāng)照射角度≥80°時(shí)，離子束照射角度與樣品加工面近乎平行，因此，可以減少由于晶體取向和成分蝕刻速率差造成的凹凸不平，形成相對(duì)平滑的加工面。這種方法常用于去除機(jī)械研磨加工對(duì)樹脂包埋樣品造成的研磨痕跡，實(shí)現(xiàn)樣品的精加工。照射角度較小時(shí)，可以利用蝕刻速率差，凸顯樣品的凹凸特性。通過樣品表面的凹凸形貌，判斷多層膜的層結(jié)構(gòu)等。

工作原理：

IM4000PLUS
IM4000PLUS是一款搭載截面研磨和平面研磨兩種功能的復(fù)合型離子研磨儀。它的功能強(qiáng)大，用途廣泛，用戶可選配用于鋰離子電池分析的真空轉(zhuǎn)移盒，以及在離子照射樹脂、高分子材料時(shí)，可降低熱損傷的樣品冷卻功能，因此受到了市場的廣泛歡迎。而且，IM4000PLUS搭載了高速離子槍，可縮短研磨時(shí)間，截面研磨速率高達(dá)500 μm/h以上(*)。

IM4000PLUS采用間接方式冷卻樣品，首先在杜瓦瓶內(nèi)裝滿液氮，以此作為冷卻源，再通過銅線對(duì)樣品加工區(qū)域進(jìn)行冷卻。對(duì)于樹脂和橡膠材質(zhì)的樣品，即使是采用間接冷卻的方式其溫度仍低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，為防止樣品溫度過低，用戶可同時(shí)使用加熱器，將樣品溫度調(diào)節(jié)在0℃到-100℃范圍內(nèi)。圖6所示為分別對(duì)硅膠進(jìn)行常溫截面研磨(a)和冷卻截面研磨(b)加工后獲得的SEM圖像。常溫下對(duì)硅膠進(jìn)行截面研磨時(shí)，氬離子照射會(huì)使樣品溫度升高，造成基體橡膠內(nèi)隨處都是褶皺。而采用冷卻研磨可大幅減少褶皺，抑制樣品溫度升高。

操作步驟：

① 在控制氧氣濃度和溫度的手套箱內(nèi)，將樣品置于真空轉(zhuǎn)移盒內(nèi)，并旋緊密封蓋。
② 取出真空轉(zhuǎn)移盒，安裝到離子研磨儀上。
③ 在真空樣品倉內(nèi)取下密封蓋。
④ 離子研磨加工
⑤ 真空環(huán)境下蓋緊密封蓋
⑥ 打開密封蓋，拉出樣品桿。
⑦ 選擇支持真空轉(zhuǎn)移樣品的SEM進(jìn)行樣品觀察。

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