應(yīng)用

儀表可以進(jìn)行下列測量：

• E+H液晶顯示信號遠(yuǎn)傳PMP51系列壓力變送器所有過程領(lǐng)域和過程測量技術(shù)中氣體、蒸汽或液體的絕壓和表壓測量

• 液體的液位、體積或質(zhì)量測量

• 高過程溫度

– 不帶隔膜密封系統(tǒng)：max. 130°C (266°F) ；在 60 min 內(nèi)，max. 150 °C (302 °F)

– 帶隔膜密封系統(tǒng)：max. 400°C (752°F)

• 高壓力，max. 400 bar (6000 psi)

• 通過多項(xiàng)國際認(rèn)證，應(yīng)用廣泛

優(yōu)勢

• 重復(fù)性和長期穩(wěn)定性

• 高參考測量精度：max. ±0.15 % ；鉑金型：max. ±0.075%

• 量程比：max. 100:1

• 標(biāo)準(zhǔn)化平臺，適用于差壓變送器 (Deltabar S)、靜壓變送器 (Deltapilot S) 和壓力

變送器 (Cerabar S)

• 使用滿足現(xiàn)實(shí)應(yīng)用的用戶接口，調(diào)試簡單、快速

• 過程壓力監(jiān)測的安全等級為 SIL2，通過 TüV NORD 認(rèn)證，符合 IEC 61508

標(biāo)準(zhǔn) (2.0 版 ) 和 IEC 61511 標(biāo)準(zhǔn)

• 隔膜密封系統(tǒng)采用新型 TempC 膜片：

最小溫度效應(yīng)、膜片厚度和短復(fù)原時(shí)間

• 提供 ASME-BPE 認(rèn)證型儀表

陶瓷傳感器是非充油型傳感器 ( 干式傳感器 )。過程壓力直接作用在堅(jiān)固耐用的陶瓷過程隔離膜片

上，導(dǎo)致膜片發(fā)生形變。測量陶瓷基板上的電極和過程隔離膜片上與壓力成比例關(guān)系的電容變化

量。陶瓷過程隔離膜片的厚度確定測量范圍。

優(yōu)點(diǎn)：

• 抗過載能力為 40 倍標(biāo)稱壓力

• 采用 99.9% 超純陶瓷

– 化學(xué)穩(wěn)定性，可與 Alloy C 合金媲美

– 低松弛度

– 高機(jī)械穩(wěn)定性

• 可在真空中使用

• 超高表面光潔度 Ra ￡ 0.3 mm (11.8 min)

PMP51

在工作壓力作用下過程隔離膜片發(fā)生形變。填充液將壓力傳輸至電阻橋路上 ( 半導(dǎo)體技術(shù) )。測量

與壓力相關(guān)的橋路輸出電壓，并進(jìn)行后續(xù)處理。

優(yōu)點(diǎn)：

• 可在過程壓力不超過 400 bar (6000 psi) 的條件下測量

• 高長期穩(wěn)定性

• 抗過載能力為 4 倍標(biāo)稱壓力

• 相比于隔膜密封系統(tǒng)，熱效應(yīng)影響顯著降低

PMP55

工作壓力作用在隔膜密封系統(tǒng)的過程隔離膜片上，隔膜密封系統(tǒng)中的填充液將壓力傳輸至傳感器

的過程隔離膜片上。過程隔離膜片發(fā)生形變，填充液將壓力傳輸至電阻橋路上。測量與壓力相關(guān)

的橋路輸出電壓，并進(jìn)行后續(xù)處理。

優(yōu)點(diǎn)：

• 取決于儀表型號，可在過程壓力不超過 400 bar (6000 psi) 和高過程溫度條件下測量

• 高長期穩(wěn)定性

• 抗過載能力為 4 倍標(biāo)稱壓力

優(yōu)勢

• E+H液晶顯示信號遠(yuǎn)傳PMP51系列壓力變送器在儀表軟件中選擇不同的液位測量模式

• 通過用戶自定義特征曲線可在任意形狀的罐體中進(jìn)行體積和質(zhì)量測量

• 多種液位測量單位可選

• 應(yīng)用廣泛，即使在下列情形中：

– 泡沫液面

– 帶攪拌器或屏蔽裝置的罐體

– 液化氣體