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ES01快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀

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產(chǎn)品型號ES01

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更新時間：2023-03-09 17:34:07瀏覽次數(shù)：251次

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產(chǎn)品簡介

ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k

詳細介紹

ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。

ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。

特點：

原子層量的檢測靈敏度

采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量的納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。
秒的快速測量

快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件，在保證高精度和準確度的同時，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。
一鍵式儀器操作

對于常規(guī)操作，只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高操作需求。

應(yīng)用：

ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)。

ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場合。比如：

ES01V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。
ES01U適合于很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體的臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。

ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應(yīng)用如：

半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。

ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：

玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標：

項目	技術(shù)指標
光譜范圍	ES01V：370-1000nm ES01U：245-1000nm
光譜分辨率	1.5nm
單次測量時間	典型10s,取決于測量模式
準確度	δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時）
膜厚測量重復性（1）	0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率精度（1）	1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
入射角度	40°-90°自動調(diào)節(jié)，重復性0.02°
光學結(jié)構(gòu)	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度）
樣品臺尺寸	可放置樣品尺寸：直徑170 mm
樣品方位調(diào)整	高度調(diào)節(jié)范圍：0-10mm
樣品方位調(diào)整	二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
樣品對準	光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng)
軟件	•多語言界面切換
	•預設(shè)項目供快捷操作使用
	•安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員）
	•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
	•豐富的模型數(shù)據(jù)庫
選配件	自動掃描樣品臺聚焦透鏡