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四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐

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更新時(shí)間：2022-08-25 17:14:17瀏覽次數(shù)：250次

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Quantum Design China(Beijing)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

日本GES公司生產(chǎn)的四電弧高溫單晶生長(zhǎng)爐，采用的高溫材料合成方法，非常適合生長(zhǎng)化學(xué)性質(zhì)活躍但熔點(diǎn)（一般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等......

詳細(xì)介紹

基本參數(shù)：

樣品腔：

溫度：3000℃

氣氛：Ar

工作壓強(qiáng)：5x10^-6 Torr~1.1Atm

真空度：10^-6 Torr

尺寸:直徑208*300H

材料:不銹鋼

冷卻:水冷

提拉棒：

提拉生長(zhǎng)速度：0.1-39mm/hr