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飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

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飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

詳細(xì)介紹

性能指標(biāo)

  1. 質(zhì)量分辨率:29Si>12000,在m/z>200附近可以達(dá)17000以上;
  2. 檢測(cè)極限:ppm~ ppb級(jí);
  3. 質(zhì)量范圍:~12000;
  4. 檢測(cè)范圍:所有元素(含H、He)及同位素;
  5. 橫向分辨率<70nm, 深度分辨率<1nm 

主要應(yīng)用

  1. 譜圖檢測(cè)、化學(xué)成分成像及深度剖析測(cè)試,可應(yīng)用于分析有機(jī)、無(wú)機(jī)、納米材料(特別是半導(dǎo)體、電池材料)、微電子、生物醫(yī)學(xué)、地質(zhì)/考古、冶金、環(huán)境、人工智能等固體材料。
  2. 納米尺度下,對(duì)固體材料、生物組織或細(xì)胞進(jìn)行化學(xué)成像分析;半導(dǎo)體材料痕量雜質(zhì)分析(ppm至ppb);薄膜樣品三維空間尺度化學(xué)成分分布及成像。 

樣品要求

  1. 不能被測(cè)試的樣品種類: 放射性的樣品;真空中會(huì)釋放大量氣體、尤其釋放的氣體對(duì)不銹鋼具有腐蝕性的樣品,比如可以釋放出HCl+H2O,有化學(xué)毒性和生物毒性的樣品;低熔點(diǎn)樣品,如松香等,高密度束流濺射后可能會(huì)熔化;在制樣過(guò)程中容易快速潮解的樣品。
  2. 樣品物性/外形/尺寸: (1)固體樣品(導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體)。其中薄膜、片狀、塊體:長(zhǎng)×寬尺寸約10 mm × 10 mm~12 mm × 12 mm,厚度不大于5mm; (2)盡量保持樣品上下表面平整(尤其待測(cè)面,越平整越好); (3)粉末樣品壓片后送樣。壓片時(shí)使用清潔的鋁箔包裹粉末樣品,以避免在加壓過(guò)程樣品表面被污染,壓片后的尺寸要求見(jiàn)(1)條。 (4)通過(guò)溶液涂膜方法制備薄膜樣品時(shí),使用表面平整的導(dǎo)體或半導(dǎo)體作為襯底,例如:Si片, 鍍金的Si片,或銀片等。
  3. 送樣時(shí)注意事項(xiàng): (1)送樣時(shí),請(qǐng)附上打印的預(yù)約單及送樣記錄單; (2)待測(cè)試的樣品表面不能被沾污(如手摸拿,碰觸污染物等,制樣及裝樣過(guò)程中均需注意),所有樣品在送樣之前必須提前進(jìn)行真空干燥或者冷凍干燥; (3)樣品中不得含有乙酸乙酯、氯仿、二氯甲烷、苯、環(huán)己烷、DMSO等有機(jī)試劑; (4)易被氧化或易吸水樣品,在送樣過(guò)程中應(yīng)注意隔離空氣(如放保干器, 或高純Ar氣袋 ),或事先與我們聯(lián)系,商量解決辦法; (5)用帶蓋的玻璃小試管、小容量瓶等容器裝樣;不要直接使用塑料容器、塑料袋、含硅的膠帶或膠面和紙袋,以免硅樹(shù)脂或纖維污染樣品表面。也可以使用干凈的鋁箔直接包裹樣品后放入干凈的玻璃器皿中送樣; (6)如果高分子材料中含有殘余的揮發(fā)性有機(jī)試劑分子或小分子單體,務(wù)必先行在真空烘箱中抽除這些物質(zhì)。如果樣品置入ToF-SIMS預(yù)抽真空腔體內(nèi),經(jīng)過(guò)一夜抽真空后依然無(wú)法抽至1e-7mbar以下,該樣品的測(cè)試將被取消; (7)對(duì)薄膜、片狀、塊體樣品標(biāo)記出測(cè)試面;千萬(wàn)注意:不能使用墨水筆在樣品上標(biāo)記測(cè)試面,以免墨水中的有機(jī)試劑污染待測(cè)樣品表面!??!對(duì)于金屬或半導(dǎo)體,高分子材料片狀,建議使用刀片或金剛石刻刀在不測(cè)的一面畫(huà)"+"字; 另外,樣品袋上要用標(biāo)簽紙標(biāo)上預(yù)約人姓名; (8)寫(xiě)明分析測(cè)試的要求,如待測(cè)成分,送樣信息等(見(jiàn)送樣記錄單),如果樣品有易變性(如被氧化,吸附等),易熔化等情況應(yīng)說(shuō)明清楚(可在送樣記錄單中說(shuō)明); (9)初次實(shí)驗(yàn)需要決定分析條件情況,送樣者若能到場(chǎng),可能有助于測(cè)試的進(jìn)行。 

 

儀器說(shuō)明

  1. 儀器名稱:飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀;
  2. 生產(chǎn)廠家:德國(guó)ION-TOF GmbH
  3. 儀器型號(hào):TOF SIMS 5 配備高效電子中和槍,可精確分析絕緣材料;
  4. 分析源配備Bi源分析槍(LMIG)及氬原子團(tuán)簇離子槍(GCIB),濺射源配備O源、Cs源及GCIB。

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