當前位置：深圳維爾克斯光電有限公司>>Opto Diode光電探測器>>增強型光電二極管

增強型光電二極管

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-02-07 14:00:43瀏覽次數(shù)：157次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  Opto Diode光電探測器

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

深圳維爾克斯光電有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：648條

所在地區(qū)：

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

Opto Diode紅藍增強型探測器波長范圍在400-740nm之間，也可以稱之為400-740nm光電探測器。可見光增強型探測器波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。Opto Diode光電二極管波長為632nm時最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W。

詳細介紹

Opto Diode紅藍增強型探測器，低電容，400-740nm

Opto Diode提供高質(zhì)量的標準和定制的可見光譜硅光電二極管。我們有各種各樣低暗電流和低電容的器件。400-740nm光電探測器可以在400-740nm之間的響應(yīng)，我們生產(chǎn)的紅藍增強型探測器適用于許多應(yīng)用。對于大批量的需求，您可以直接找我們訂購。

Opto Diode光電二極管存儲和操作溫度范圍為-55°C至100°C，結(jié)點溫度100°C，引線焊接溫度260°C。Opto Diode可見光增強型探測器總共有14個型號，有效面積為1~42mm2，用三種方式進行密封包裝，這三種方式分別是TO-5、TO-8、TO-18。Opto Diode可見光增強型探測器有低暗電流、低電容、圓形有效區(qū)域、芯片尺寸可以優(yōu)化等特點，優(yōu)化的芯片尺寸可以獲得的信號。

Opto Diode可見光增強型探測器是增強型光電二極管，紅色增強型光電二極管標準品的波長為632nm，藍色增強型光電二極管標準品的波長為450nm。對于紅藍增強型探測器的其他波長可以找我們定制，藍色增強型探測器波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。紅色增強型探測器波長為632nm時最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W。

Opto Diode光電二極管型號：

型號	零件編號	描述	有效面積mm2
ODD-1	ODD-632-001	TO-18封裝的紅色增強型光電二極管	1
ODD-1B	ODD-450-001	藍色增強型光電二極管，TO-18封裝	1
ODD-1W	ODD-632-008	TO-18封裝的紅色增強型光電二極管	1
ODD-1WB	ODD-450-007	藍色增強型光電二極管，TO-18封裝	1
ODD-12W	ODD-632-004	紅色增強型光電二極管,TO-8密封包裝	12
ODD-12WB	ODD-450-004	藍色增強型光電二極管，TO-8密封包裝	12
ODD-15W	ODD-632-005	紅色增強型光電二極管，TO-5密封包裝	15.8
ODD-15WB	ODD-450-005	藍色增強型光電二極管，TO-5密封包裝	15.8
ODD-42W	ODD-632-006	紅色增強型光電二極管，TO-8密封包裝	42
ODD-42WB	ODD-450-006	藍色增強型光電二極管，TO-8密封包裝	42
ODD-5W	ODD-632-002	紅色增強型光電二極管，TO-5密封包裝	5
ODD-5WB	ODD-450-002	藍色增強型光電二極管，TO-5密封包裝	5
ODD-5WBISOL	ODD-450-003	藍色增強型光電二極管，TO-5密封包裝	5
ODD-5WISOL	ODD-632-003	紅色增強型光電二極管，TO-5密封包裝	5

ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB在25°時的光電特性

TO-18封裝、低成本格式、低暗電流、低電容。

活動區(qū)域是1.35mmx0.76mm時, 活動區(qū)域的典型值是1mm2。VR=10V時暗電流的典型值是0.2nA，值是1nA。當電阻的電流為IR=10µA時，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。VR=10V測試條件下，上升時間典型值為8納秒，值是15納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為25歐姆，值是60歐姆。ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB的特點一樣，除了靈敏度和電容不一樣。ODD-1B和ODD-1WB在450nm的波長下靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W，當電阻的電壓是VR=10V時，電容值是2pF，典型值是0.5pF。ODD-1和ODD-1W在632的波長下靈敏度最小值是0.36A/W，典型值是0.40 A/W，當電阻的電壓是VR=10V時，電容值是2pF，典型值是0.2pF。

ODD-12W、ODD-12WB（紅藍增強型探測器）在25°時的光電特性

TO-8密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。

在直徑為4mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是12mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是3nA，值是7nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是25pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為15納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，值是100歐姆。ODD-12W和ODD-12WB除了靈敏度不一樣，其他都一樣，ODD-12W在632nm的波長下靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-12WB波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-15W、ODD-15WB紅藍增強型探測器在25°時的光電特性

TO-5密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得的信號、低電容。

在6.27mmx2.52mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是15.8mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是4nA，值是10nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是30pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為20納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，值是100歐姆。ODD-15W和ODD-15WB的特點一樣，除了波長的靈敏度不一樣，ODD-15W波長為632nm時靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-15WB波長是450nm, 靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-42W、ODD-42WB紅藍增強型探測器在25°時的光電特性

TO-8密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得的信號、低電容。

在9.91mmx4.28mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是42mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是11nA，值是25nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是85pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為35納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，值是100歐姆。ODD-42W和ODD-42WB只有靈敏度不一樣，ODD-42W波長為632nm時靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-42WB波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL在25°時的光電特性

TO-5密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。

在直徑為2.52mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是5mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是1nA，值是3nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是11pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為10納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，值是100歐姆。ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL的特點一樣，除了靈敏度不一樣，ODD-5W和ODD-5WISOL在632nm的波長下靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-5WB和ODD-5WBISOL在450nm的波長下靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28 A/W。

ODD-1型號光電特性圖

從電容與偏置電壓圖中可以看到電容與偏置電壓成反比，電容隨著偏置電壓的增大而減小。從典型的光譜響應(yīng)圖中可以看到靈敏度隨著波長增加而變大，當波長達到980nm左右，靈敏度達到值。當達到值后，靈敏度會隨著波長增加而減小。從暗電流與電容關(guān)系圖中，可以看到暗電流隨著電壓的增大而增加。想知道更多型號的光電特性圖，可以聯(lián)系我們。