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深圳維爾克斯光電有限公司


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增強(qiáng)型光電二極管

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更新時(shí)間:2024-02-07 14:00:43瀏覽次數(shù):149次

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產(chǎn)品簡介

Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器波長范圍在400-740nm之間,也可以稱之為400-740nm光電探測器??梢姽庠鰪?qiáng)型探測器波長為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。Opto Diode光電二極管波長為632nm時(shí)最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W。

詳細(xì)介紹

Opto Diode紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器,低電容,400-740nm


Opto Diode提供高質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)和定制的可見光譜硅光電二極管。我們有各種各樣低暗電流和低電容的器件。400-740nm光電探測器可以在400-740nm之間的響應(yīng),我們生產(chǎn)的紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器適用于許多應(yīng)用。對(duì)于大批量的需求,您可以直接找我們訂購。

Opto Diode光電二極管存儲(chǔ)和操作溫度范圍為-55°C100°C,結(jié)點(diǎn)溫度100°C,引線焊接溫度260°C。Opto Diode可見光增強(qiáng)型探測器總共有14個(gè)型號(hào),有效面積為1~42mm2,用三種方式進(jìn)行密封包裝,這三種方式分別是TO-5TO-8、TO-18。Opto Diode可見光增強(qiáng)型探測器有低暗電流、低電容、圓形有效區(qū)域、芯片尺寸可以優(yōu)化等特點(diǎn),優(yōu)化的芯片尺寸可以獲得的信號(hào)。

Opto Diode可見光增強(qiáng)型探測器是增強(qiáng)型光電二極管,紅色增強(qiáng)型光電二極管標(biāo)準(zhǔn)品的波長為632nm,藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管標(biāo)準(zhǔn)品的波長為450nm。對(duì)于紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器的其他波長可以找我們定制,藍(lán)色增強(qiáng)型探測器波長為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。紅色增強(qiáng)型探測器波長為632nm時(shí)最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W。


Opto Diode光電二極管型號(hào):

型號(hào)

零件編號(hào)

描述

有效面積mm2

ODD-1

ODD-632-001

TO-18封裝的紅色增強(qiáng)型光電二極管

1

ODD-1B

ODD-450-001

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-18封裝

1

ODD-1W

ODD-632-008

TO-18封裝的紅色增強(qiáng)型光電二極管

1

ODD-1WB

ODD-450-007

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-18封裝

1

ODD-12W

ODD-632-004

紅色增強(qiáng)型光電二極管,TO-8密封包裝

12

ODD-12WB

ODD-450-004

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-8密封包裝

12

ODD-15W

ODD-632-005

紅色增強(qiáng)型光電二極管,TO-5密封包裝

15.8

ODD-15WB

ODD-450-005

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-5密封包裝

15.8

ODD-42W

ODD-632-006

紅色增強(qiáng)型光電二極管,TO-8密封包裝

42

ODD-42WB

ODD-450-006

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-8密封包裝

42

ODD-5W

ODD-632-002

紅色增強(qiáng)型光電二極管,TO-5密封包裝

5

ODD-5WB

ODD-450-002

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-5密封包裝

5

ODD-5WBISOL

ODD-450-003

藍(lán)色增強(qiáng)型光電二極管,TO-5密封包裝

5

ODD-5WISOL

ODD-632-003

紅色增強(qiáng)型光電二極管,TO-5密封包裝

5


ODD-1、ODD-1WODD-1BODD-1WB25°時(shí)的光電特性

TO-18封裝、低成本格式、低暗電流、低電容。

活動(dòng)區(qū)域是1.35mmx0.76mm時(shí), 活動(dòng)區(qū)域的典型值是1mm2。VR=10V時(shí)暗電流的典型值是0.2nA,值是1nA。當(dāng)電阻的電流為IR=10µA時(shí),反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。VR=10V測試條件下,上升時(shí)間典型值為8納秒,值是15納秒。在Vf=1V時(shí),串聯(lián)電阻的典型值為25歐姆,值是60歐姆。ODD-1、ODD-1WODD-1BODD-1WB的特點(diǎn)一樣,除了靈敏度和電容不一樣。ODD-1BODD-1WB450nm的波長下靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W,當(dāng)電阻的電壓是VR=10V時(shí),電容值是2pF,典型值是0.5pFODD-1ODD-1W632的波長下靈敏度最小值是0.36A/W,典型值是0.40 A/W,當(dāng)電阻的電壓是VR=10V時(shí),電容值是2pF,典型值是0.2pF。


ODD-12WODD-12WB(紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器)在25°時(shí)的光電特性

TO-8密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。

在直徑為4mm測試條件下,活動(dòng)區(qū)域的典型值是12mm2。在VR=10V測試條件下,暗電流的典型值是3nA,值是7nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下,反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下,電容的典型值是25pF。在VR=10V測試條件下,上升時(shí)間典型值為15納秒。在Vf=1V時(shí),串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆,值是100歐姆。ODD-12WODD-12WB除了靈敏度不一樣,其他都一樣,ODD-12W632nm的波長下靈敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/W,ODD-12WB波長為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W


ODD-15W、ODD-15WB紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器在25°時(shí)的光電特性

TO-5密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得的信號(hào)、低電容。

6.27mmx2.52mm測試條件下,活動(dòng)區(qū)域的典型值是15.8mm2。在VR=10V測試條件下,暗電流的典型值是4nA,值是10nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下,反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下,電容的典型值是30pF。在VR=10V測試條件下,上升時(shí)間典型值為20納秒。在Vf=1V時(shí),串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆,值是100歐姆。ODD-15WODD-15WB的特點(diǎn)一樣,除了波長的靈敏度不一樣,ODD-15W波長為632nm時(shí)靈敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W,ODD-15WB波長是450nm, 靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。


ODD-42W、ODD-42WB紅藍(lán)增強(qiáng)型探測器在25°時(shí)的光電特性

TO-8密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得的信號(hào)、低電容。

9.91mmx4.28mm測試條件下,活動(dòng)區(qū)域的典型值是42mm2。在VR=10V測試條件下,暗電流的典型值是11nA,值是25nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下,反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下,電容的典型值是85pF。在VR=10V測試條件下,上升時(shí)間典型值為35納秒。在Vf=1V時(shí),串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆,值是100歐姆。ODD-42WODD-42WB只有靈敏度不一樣,ODD-42W波長為632nm時(shí)靈敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.4A/W,ODD-42WB波長為450nm時(shí)靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28A/W。


ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL25°時(shí)的光電特性

TO-5密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。

在直徑為2.52mm測試條件下,活動(dòng)區(qū)域的典型值是5mm2。在VR=10V測試條件下,暗電流的典型值是1nA,值是3nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下,反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下,電容的典型值是11pF。在VR=10V測試條件下,上升時(shí)間典型值為10納秒。在Vf=1V時(shí),串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆,值是100歐姆。ODD-5WODD-5WB、ODD-5WBISOLODD-5WISOL的特點(diǎn)一樣,除了靈敏度不一樣,ODD-5WODD-5WISOL632nm的波長下靈敏度最小值是0.35A/W,典型值是0.40 A/W,ODD-5WBODD-5WBISOL450nm的波長下靈敏度最小值是0.2A/W,典型值是0.28 A/W


ODD-1型號(hào)光電特性圖

從電容與偏置電壓圖中可以看到電容與偏置電壓成反比,電容隨著偏置電壓的增大而減小。從典型的光譜響應(yīng)圖中可以看到靈敏度隨著波長增加而變大,當(dāng)波長達(dá)到980nm左右,靈敏度達(dá)到值。當(dāng)達(dá)到值后,靈敏度會(huì)隨著波長增加而減小。從暗電流與電容關(guān)系圖中,可以看到暗電流隨著電壓的增大而增加。想知道更多型號(hào)的光電特性圖,可以聯(lián)系我們。








關(guān)鍵詞:芯片

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