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1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

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沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司

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1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)的，特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。

產(chǎn)品型號(hào)	1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV
安裝條件	本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz（63A空氣開關(guān)），必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶Ø6mm雙卡套接頭） 4、工作臺(tái)：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要
主要特點(diǎn)	1、采用高純氧化鋁保溫材料，保證了的溫度均勻性。 2、內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口氧化鋁涂層，可以提高反射率和保護(hù)爐膛潔凈度。 3、采用PID控制器，可以設(shè)置30段升降溫程序。 4、金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)生CVD反應(yīng)。 5、采用雙管真空密封法蘭，允許反應(yīng)氣體通過兩管之間（10mm間隙）。 6、冷卻氣體直接通入內(nèi)管。 7、配有帶KF25快接和波紋管的高速機(jī)械泵。 8、爐底部裝有滑軌，爐體可從一端滑向另一端，從而實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫。為了獲得較快的加熱速度，可以先將爐體預(yù)熱，然后滑至放置樣品處；為了獲得較快的冷卻速度，可將爐體滑至另一端，同時(shí)將冷氣通入樣品所在處。 9、密封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作。 10、已通過CE認(rèn)證。
技術(shù)參數(shù)	管式爐 1、電源：?jiǎn)蜗?/span>AC 208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW （20A保險(xiǎn)絲） 2、石英管：外管外徑Ø100mm，內(nèi)徑Ø96mm，長(zhǎng)1400mm 內(nèi)管外徑Ø80mm，內(nèi)徑Ø75mm，長(zhǎng)1400mm 3、加熱元件：摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲（表面涂有氧化鋯） 4、加熱區(qū)域：440mm 5、恒溫區(qū)域：120mm（±1℃在400℃-1100℃） 6、工作溫度：1100℃，連續(xù)工作1000℃ 7、升降溫速率：20℃/min 8、控溫精度：±1℃ 9、真空度：10^-2torr（機(jī)械泵），10^-5torr（分子泵）
技術(shù)參數(shù)	質(zhì)量流量混氣系統(tǒng) 1、質(zhì)子流量計(jì)：4路精密質(zhì)子流量計(jì)，數(shù)字顯示，氣體流量自動(dòng)控制 MFC1范圍0-100sccm，MFC2范圍0-200sccm，MFC3范圍0-200sccm，MFC4范圍0-500sccm 2、流量精度：0.2% 3、氣路：4路（每個(gè)氣路都有一個(gè)獨(dú)立的不銹鋼針閥控制） 4、進(jìn)出氣口：1/4"卡套 5、混氣罐：1個(gè)
產(chǎn)品規(guī)格	尺寸：管式爐550mm×380mm×520mm，移動(dòng)架600mm×600mm×597mm 重量：135kg
可選配件	1、分子泵 2、雙溫區(qū)管式爐 3、銅箔（生長(zhǎng)石墨烯150mm×150mm×25µm）