產(chǎn)品簡介：1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD主要適用于我公司制造的VTC-600-3HD三靶磁控濺射儀、VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀，該磁控濺射頭可安裝直徑為1"的靶材?？膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配，因此可濺射各種靶材，如金屬靶材（如金、銀、銅等材料）、絕緣靶材（如陶瓷靶材、氧化物靶材、聚四氟乙烯靶材等）、磁性靶材、非磁性靶材等。且采用高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可提高鍍膜質(zhì)量。1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD配裝有環(huán)形NdFeB永磁體在濺射頭上，以保證濺射鍍膜的效率和薄膜在樣品表面分布的均勻性。

產(chǎn)品型號	1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD
主要特點	1、采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作。 2、采用電磁場的有元計算法來設(shè)計永磁體，以得到較高的磁場強度和均勻分布。 3、磁體表面涂有保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命。 4、標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配。 5、安裝采用標準真空接頭，便于操作。 6、靶材更換較為簡單，無需調(diào)整濺射頭的高度。 7、配有銅靶1塊。
技術(shù)參數(shù)	1、濺射頭直徑：Ø46.3mm 2、所用靶材：直徑1"±0.02"（25.4mm），厚度1/8"（3mm） 3、磁環(huán)：NdFeB稀土永磁體 4、柄桿直徑：外徑3/4" 5、電路接頭：標準HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配 6、所需功率：DC250W，RF100W 7、陰極濺射電流：3A 8、陰極濺射電壓：200V-1000V 9、工作壓力范圍：1mtorr-1torr 10、濺射厚度均勻性：采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個20nm的薄膜，直流功率150W，真空環(huán)境 10mtorr，1"銅靶，與基片距離75mm 11、水冷卻：水管接頭為外徑0.25"快插頭，所需水流量1/2GPM，進水溫度<20℃ 12、高真空快速接頭：為贈送品，數(shù)量1個，內(nèi)徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝　　　　　　　　　孔直徑為1"，真空腔體的壁厚不得大于1" 13、傾斜裝置：濺射頭相對于柄桿可傾斜±45?，設(shè)有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度
產(chǎn)品規(guī)格	尺寸：14"（355.6mm）；重量：1.36kg
可選配件	1、循環(huán)水冷機，流量為16L/min，水箱容積為6L。 2、100W小型手動匹配型射頻電源RF-100-LD，可自行搭建濺射鍍膜儀。
主要應用	在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，應用如下：薄膜涂覆、半導體器件、磁記錄介質(zhì)、超導薄膜、量子計算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術(shù)、超晶格、顆粒膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學薄膜