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高真空PECVD系統(tǒng)

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更新時間：2023-06-30 20:28:15瀏覽次數(shù)：155次

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沈陽科晶自動化設備有限公司

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產(chǎn)品簡介

高真空PECVD系統(tǒng)

詳細介紹

產(chǎn)品簡介：高真空PECVD系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156*156mm基片（并向下兼容）。

產(chǎn)品型號	高真空PECVD系統(tǒng)
主要特點	1、系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構，手動前開門； 2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，真空尺寸為300mm×300×280mm； 3、采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式 4、氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設有保證抽氣均勻性抽氣裝置 5、系統(tǒng)設有硅烷尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。
技術參數(shù)	1、停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa； 2、樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫； 3、噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)，并帶有標尺指數(shù)顯示，采用金屬焊接波紋管+進口直線導軌+進口絲杠+進口光軸方式，升降平穩(wěn)、無抖動，保證了電極與樣品的平行度； 4、沉積工作真空：13-1300Pa； 5、射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動匹配； 6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路氣體，共計使用6個質(zhì)量流量控制器控制進氣。
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