產(chǎn)品簡(jiǎn)介：用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研與小批量制備。與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優(yōu)點(diǎn),是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料粉末的理想設(shè)備。

產(chǎn)品型號(hào)	GSL-450-PLD（Pulsed Laser Deposition）
安裝條件	本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)，水溫小于25℃，水壓0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注純凈水或者去離子水）； 2、電：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波動(dòng)范圍：小于±6％，必須有良好接地（對(duì)地電阻小于2Ω）； 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備氮/氬氣氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場(chǎng)地面積：設(shè)備尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置：需要（外排廢氣管道）。
主要特點(diǎn)	1、由于激光光子能量很高，可濺射制備很多困難的鍍層：如高溫超導(dǎo)薄膜，陶瓷氧化物、氮化物薄膜，多層金屬薄膜等； 2、體積小，操作簡(jiǎn)便可以非常容易的連續(xù)融化多個(gè)材料，實(shí)現(xiàn)多層膜制備； 3、可以通過(guò)控制激光能量和脈沖數(shù)，精密的控制膜厚； 4、易獲得期望化學(xué)計(jì)量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性； 5、沉積速率高，試驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻； 6、工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對(duì)靶材的種類沒(méi)有限制。
技術(shù)參數(shù)	1、極限真空度：≤6.67x10^-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)； 2、系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10^-7 Pa.l/S； 3、系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)夂?，再開(kāi)始抽氣，20分鐘可達(dá)到5x10^-3 Pa。
基片參數(shù)	1、基片尺寸：可放置φ2″基片（帶擋板）； 2、基片加熱溫度 800℃±1℃，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，采用抗氧化材料作加熱器； 3、基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～60轉(zhuǎn)/分，電機(jī)驅(qū)動(dòng)磁耦合機(jī)構(gòu)控制； 4、基片與靶臺(tái)之間距離30～90mm可調(diào)。
轉(zhuǎn)靶參數(shù)	1、每次可以裝四塊靶材，靶材尺寸：φ1″或φ2″； 2、每塊靶材可實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5～60轉(zhuǎn)/分，連續(xù)可調(diào) ； 3、靶通過(guò)電機(jī)控制換位，靶材屏蔽罩將4塊靶材屏蔽，每次只有一個(gè)靶材露出濺射成膜，以避免靶材之間的交叉污染。
真空腔體	1、球型真空室尺寸Ф450mm，選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進(jìn)行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封； 2、真空腔體帶RF150活開(kāi)門，方便取、放樣品； 3、RF100法蘭2套（1套紫外石英玻璃窗口用于激光器，另1套盲板紅外石英玻璃窗口用于測(cè)溫可選配）； 4、RF100光學(xué)玻璃窗口1套（用于觀察）。
產(chǎn)品規(guī)格	整機(jī)尺寸：1800mm×1000mm×1600mm
標(biāo)準(zhǔn)配件	1	電源控制系統(tǒng)	1套
	2	真空獲得機(jī)組	1套
	3	真空測(cè)量	1套

關(guān)鍵詞：減壓閥熱電偶加熱器

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