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WH-2006S灰密測(cè)試儀

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

WH-2006S灰密測(cè)試儀

詳細(xì)介紹

一．簡(jiǎn)介
在相同的鹽密度下，絕緣子的污閃電壓隨灰密的增加呈下降趨勢(shì)。當(dāng)絕緣子表面灰密過(guò)小時(shí)，污穢物的吸水量小，保水性差，易受潮的上表面很快吸潮飽和，并開(kāi)始隨水流失，而下表面的污穢物尚未充分受潮，因此，絕緣子的表面電導(dǎo)率并非*大，污閃電壓較高；在灰密1~2mg/cm2范圍內(nèi)，污穢物的吸水量和保水性均較好，上表面充分受潮且水分尚未流失，下表面受潮亦接近飽和，此時(shí)，絕緣子表面電導(dǎo)*大，當(dāng)灰密過(guò)大時(shí)，污層變厚，會(huì)出現(xiàn)下表面污層底部尚未來(lái)得及受潮，而上表面污層已吸水過(guò)多開(kāi)始流失的現(xiàn)象，導(dǎo)致了污耐電壓曲線又有上升的趨勢(shì)。
可見(jiàn)不同灰密對(duì)相同的鹽密下的絕緣子的耐受電壓有著重要的影響。可見(jiàn)對(duì)灰密的監(jiān)測(cè)也是防污閃工作的重要內(nèi)容之一。
絕緣子表面的污穢包含溶性成分和不溶性成分，其中可溶性成分的含量用鹽密（等值鹽額度ESDD）表示，灰密（非可溶沉淀物密度NSDD）是指附著絕緣子表面不能溶解于水的物質(zhì)除以表面積的結(jié)果，用于定量表示絕緣子表面非可溶殘?jiān)?。由于NSDD的影響，同一個(gè)鹽密情況下，灰密不同可導(dǎo)致污區(qū)等級(jí)相差三個(gè)等級(jí)。在相同的鹽密下，絕緣下污閃電壓隨灰密的增加呈下降趨勢(shì)，在灰密較大時(shí)呈飽和狀態(tài)或者又有上升趨勢(shì)。
 WH-2006S灰密測(cè)試系統(tǒng)是參照IEC60815的要求由多年從事污穢研究測(cè)試的專家結(jié)合工作經(jīng)驗(yàn)精心配置的一套儀器。
二．基本參數(shù)
實(shí)際標(biāo)尺分度值：0.1mg； *大量程: 200g
干燥溫度: 10℃～250℃； 內(nèi)膽尺寸: 350×450×450
控溫均勻度：±5℃； 加熱功率： 3KW
電機(jī)功率： 40W
三．主要特點(diǎn)
1．干燥箱，*高工作溫度為300℃，采用數(shù)顯控溫儀控溫。清晰醒目，升溫速度顯著,操作方便。
2．數(shù)字化多點(diǎn)溫漂修正， 的計(jì)量性能*優(yōu)之傳感器結(jié)構(gòu)，LCD 顯示。

關(guān)鍵詞：絕緣子 傳感器

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