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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a...
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：上海更新時(shí)間：2024-02-13 在線留言
詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTe...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,G...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,N...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to o...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are develo...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material rema...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-t...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：The first MoWTe2 ternary alloy.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：In the bulk form （TlSe）, Thalium selenide, has band-gap at around 0.7 eV an...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：World's first commercially available PbGa2Se4 crystals!
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Similar to graphene and MoS?, VSe? is also layered material （layered transi...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：InSe （indium selenide） is the first commercially available InSe layered mat...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：First commercially available CoSe2 crystals. They are perfectly layered and...
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