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MPROBE50INSITU–實(shí)時(shí)薄膜厚度測(cè)量?jī)x原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE50INSITU用于測(cè)量薄膜厚度和n原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE50INSITU優(yōu)勢(shì)：1
MPROBE 50 INSITU – 實(shí)時(shí)薄膜厚度測(cè)量?jī)x
原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU用于測(cè)量薄膜厚度和 n&k（光學(xué)常數(shù)）的實(shí)時(shí)光學(xué)測(cè)量?jī)x。該系統(tǒng)可以在高環(huán)境光下工作，因?yàn)樗褂瞄T(mén)控?cái)?shù)據(jù)采集。原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU使用高強(qiáng)度閃光氙燈在寬帶 ( UV-NIR) 波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行精確測(cè)量。MProbe 50 系統(tǒng)是可定制的，以支持不同的幾何形狀。原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU根據(jù)可用的光學(xué)端口，可以使用斜入射或垂直入射。光可以聚焦在樣品表面或準(zhǔn)直。反射探頭可以放置在沉積室光學(xué)端口的外部或內(nèi)部（使用饋通）。MProbe 50 系統(tǒng)沒(méi)有活動(dòng)部件。典型測(cè)量時(shí)間~10ms?？梢钥焖倏煽康販y(cè)量任何半透明薄膜。
原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU優(yōu)勢(shì)：
1.原位薄膜厚度和 n&k 測(cè)量
2.用于高環(huán)境光環(huán)境下測(cè)量的門(mén)控?cái)?shù)據(jù)采集
3.材料：500+ 擴(kuò)展材料數(shù)據(jù)庫(kù)
4.連續(xù)、快速和可靠的測(cè)量
5.靈活的配置——定制以匹配沉積室的幾何形狀
原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU選型列表：
MProbe50 | 波長(zhǎng)范圍 | 厚度范圍 |
VIS | 400nm -1100nm | 15nm – 20 μm |
HRVIS | 700nm-1000nm | 1μm-400μm |
NIR | 900nm-1700nm | 100nm – 200μm |
UVVisF | 200nm -900nm | 1nm – 20μm |
UVVISNIR | 200nm-1700nm | 1nm -200μm |
XT | 1590nm -1650nm | 10μm-1mm |
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