CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué),科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括:
介電材料(SiO2、SiNx等)
硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
類金剛石(DLC)
產(chǎn)品特點(diǎn):
PLC工控機(jī)控制整個(gè)清洗過程,全自動(dòng)進(jìn)行。
7寸彩色觸摸屏互動(dòng)操作界面,圖形化操作界面顯示,自動(dòng)監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài),0~99配方程序,可存儲(chǔ)、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù),機(jī)器運(yùn)行、停止提示。
手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。
全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無污染。
采用防腐數(shù)字流量計(jì)控制,標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),氣體分配均勻??奢斎?/span>氧氣、氬氣、氮?dú)?、四氟化碳、氫氣或混合?/span>等氣體。
具備HEPA高效過濾氣體返填吹掃功能。
符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì),操作方便,界面友好。
316不銹鋼、航空鋁真空倉(cāng)選擇。
采用頂置真空倉(cāng),上開蓋設(shè)計(jì),下壓式鉸鏈開關(guān)方式。上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì),符合人體功能學(xué),操作更方便。
有效處理面積大,可處理直徑200mm晶元硅片。
安全保護(hù),倉(cāng)門打開,自動(dòng)關(guān)閉電源。
技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | RIE200 | RIE200plus |
艙體內(nèi)尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴RIE電極,Φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電極,Φ200mm |
匹配器 | 自動(dòng)匹配 | 自動(dòng)匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 10-300W可調(diào)(可選10-1000W) | 10-300W可調(diào)(可選10-600W) |
氣體控制 | 質(zhì)量流量計(jì)(MFC)(標(biāo)配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調(diào)) |
工藝氣體 | Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等(可選) |
處理尺寸 | ≤Φ200mm |
時(shí)間設(shè)定 | 1-99分59秒 |
真空泵 | 抽速約8m3/h |
氣體穩(wěn)定時(shí)間 | 1分鐘 |
極限真空 | ≤1Pa |
電 源 | AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。 |
當(dāng)?shù)入x子蝕刻應(yīng)用涉及使用氧氣作為工藝氣體時(shí),出于安全原因,強(qiáng)烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級(jí)旋片泵或類似的合成油旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵。因?yàn)?/span>Edwards愛德華RV3雙級(jí)旋片泵在泵科學(xué)應(yīng)用方面已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)然,在需要避免使用油基旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵的地方,也可選擇干式真空泵。