北京吉天儀器有限公司主營(yíng):原子熒光光度計(jì),流動(dòng)注射分析儀
ICP光譜儀的優(yōu)點(diǎn)
1. 檢出限低。 一般可達(dá)~1ug·g-1,值可達(dá)10-8~10-9g。用電感耦合等離子體(icp)新光源,檢出限可低至 數(shù)量級(jí)。
2. 用icp光源時(shí),準(zhǔn)確度高,標(biāo)準(zhǔn)曲線的線性范圍寬,可達(dá)4~6個(gè)數(shù)量級(jí)。可同時(shí)測(cè)定高、中、低含量的不同元素。因此icp-aes已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域之中。
3. 樣品消耗少,適于整批樣品的多組分測(cè)定,尤其是定性分析更顯示出的優(yōu)勢(shì)。
ICP光譜儀是什么構(gòu)成的?
一臺(tái)典型的ICP光譜儀主要由一個(gè)光學(xué)平臺(tái)和一個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)組成。包括以下幾個(gè)主要部分:
1. 入射狹縫: 在入射光的照射下形成光譜儀成像系統(tǒng)的物點(diǎn)。
2. 準(zhǔn)直元件: 使狹縫發(fā)出的光線變?yōu)槠叫泄?。該?zhǔn)直元件可以是一獨(dú)立的透鏡、反射鏡、或直接集成在色散元件上,如凹面光柵光譜儀中的凹面光柵。
3. 色散元件: 通常采用光柵,使光信號(hào)在空間上按波長(zhǎng)分散成為多條光束。
4. 聚焦元件: 聚焦色散后的光束,使其在焦平面上形成一系列入射狹縫的像,其中每一像點(diǎn)對(duì)應(yīng)于一特定波長(zhǎng)。
5. 探測(cè)器陣列:放置于焦平面,用于測(cè)量各波長(zhǎng)像點(diǎn)的光強(qiáng)度。該探測(cè)器陣列可以是CCD陣列或其它種類的光探測(cè)器陣列。
ICP發(fā)射光譜常見(jiàn)問(wèn)題
1、影響等離子體溫度的因素有: 載氣流量:流量增大,中心部位溫度下降; 載氣的壓力:激發(fā)溫度隨載氣壓力的降低而增加; 頻率和輸入功率:激發(fā)溫度隨功率增大而,近似線性關(guān)系,在其他條件相同時(shí),增加頻率,放電溫度降低; 第三元素的影響:引入低電離電位的釋放劑(如T1)的等離子體,電子溫度將增加。
2、電離干擾的消除和抑制 原子在火焰或等離子體的蒸氣相中電離而產(chǎn)生的干擾。它使火焰中分析元素的中性原子數(shù)減少,因而降低分析信號(hào)。在標(biāo)準(zhǔn)和分析試樣中加入過(guò)量的易電離元素,使火焰或等離子體中的自由電子濃度穩(wěn)定在相當(dāng)高的水平上,從而抑制或消除分析元素的電離。此外,由于溫度愈高,電離度愈大,因此,降低溫度也可減少電離干擾。