ASTRONi反應(yīng)氣體發(fā)生器基于的低場(chǎng)環(huán)形等離子體技術(shù)，可提供更大范圍的工作壓力，同時(shí)保持較高的輸入氣體解離率。高可靠性、經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)架構(gòu)結(jié)合了電源、控制模塊和等離子體室。其結(jié)果是一個(gè)緊湊的，蓋子安裝的單位，這是很容易集成。

詳細(xì)介紹

立即聯(lián)系何經(jīng)理：AX--47768 AMAT HDP CVD MKS 反應(yīng)氣體發(fā)生器消除了加工過(guò)程中對(duì)氬氣的需求

ASTRON®i反應(yīng)氣體發(fā)生器專為提高流動(dòng)能力和工藝靈活性而設(shè)計(jì)。ASTRONi反應(yīng)氣體發(fā)生器消除了加工過(guò)程中對(duì)氬氣的需求，允許選擇與現(xiàn)有工藝氣體兼容的點(diǎn)火氣體，并增加了總體流量，減少了加工時(shí)間，提高了吞吐量。
ASTRONi反應(yīng)氣體發(fā)生器基于的低場(chǎng)環(huán)形等離子體技術(shù)，可提供更大范圍的工作壓力，同時(shí)保持較高的輸入氣體解離率。高可靠性、經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)架構(gòu)結(jié)合了電源、控制模塊和等離子體室。其結(jié)果是一個(gè)緊湊的，蓋子安裝的單位，這是很容易集成。
ASTRONi反應(yīng)氣體發(fā)生器的主要應(yīng)用是作為反應(yīng)氣體的遠(yuǎn)程源，用于清除CVD或FPD工藝室內(nèi)壁上不需要的沉積物，這些工藝室需要更大的工藝靈活性。通過(guò)產(chǎn)生氟原子，與室內(nèi)的廢物沉積發(fā)生反應(yīng)，形成新的氣體，這些氣體很容易被洗滌，以盡量減少對(duì)環(huán)境的影響。此外，與原位射頻方法相比，遠(yuǎn)程源減少了對(duì)工藝室的磨損。

?操作過(guò)程中不需要?dú)鍤?br> ?增加流量減少腔室清潔時(shí)間
?連續(xù)運(yùn)行(CW)，不受占空比限制，支持大型腔室和/或長(zhǎng)時(shí)間清潔
?兼容200mm和300mm腔室

選擇點(diǎn)火氣體的靈活性和較低的CoO
?緊湊，蓋子安裝設(shè)計(jì)，便于集成
?在寬壓力范圍內(nèi)的高解離率，更強(qiáng)大的操作與室清潔硬件配置

AX--47768 AMAT HDP CVD

The ASTRON®i reactive gas generator is designed for increased flow capability and process flexibility. The ASTRONi reactive gas generator eliminates the need for argon during processing, allows a choice of ignition gas compatible with existing process gases, and increases overall flow for decreased processing time and increased throughput.
Based on patented Low-Field-Toroidal plasma technology, the ASTRONi reactive gas generator provides a broader range of operating pressures while maintaining a high input gas dissociation rate. The high reliability, field-proven design architecture combines the power source, control module, and plasma chamber. The result is a compact, lid-mountable unit, which is easy to integrate.
The primary application for the ASTRONi reactive gas generator is as a remote source for reactive gas to clean undesired deposits from interior walls of CVD or FPD process chambers where greater process flexibility is required. By generating atomic fluorine that reacts with waste deposits in the chamber, new gases are formed that are readily scrubbed to minimize the environmental impact. In addition, the remote source reduces wear and tear on the process chamber compared to in situ RF methods.

? No Argon required during operation
? Increased flow reduces chamber clean time
? Continuous operation (CW), not duty cycle limited, to support large chambers and/or long clean times
? Compatible with 200mm and 300mm chambers

Choice of ignition gases for flexibility and lower CoO
? Compact, lid-mountable design, for easy integration
? High dissociation rate over broad pressure range for more robust operation with chamber clean hardware configurations

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為什么選擇雄霸？AX--47768 AMAT HDP CVD MKS 反應(yīng)氣體發(fā)生器消除了加工過(guò)程中對(duì)氬氣的需求

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AMAT 0090-76110 VME PCB	ABB XVC768117 3BHB007211R117	GE DS200TCPDG2BEC
YOKOGAWA YNT522D	ABB XVC768106 3BHB007211R106	GE IS200TPROH1BBB
YOKOGAWA AIP171	ABB CI857K01 3BSE018144R1	GE DS200TCPDG1BEC
YOKOGAWA AIP591	B&R 5AP1130.156C-000	GE IC695CPU315-CD
KOLLMORGEN S72402-NANANA	ABB CI570 3BSE001440R1	GE IC695ETM001-EK
ABB SK827005 SK827100-AS 480V 60Hz線圈	EMERSON 1C31203G01	ABB UFC911B106 3BHE037864R0106
ABB LXN1604-6	ENTERASYS A4H124-24TX P0973JM	ABB PCD235B1101 3BHE032025R1101
ABB REF615C_C HCFFAEAGANB2BAN1XC	SCHUMACHER ATCS-15 1464-0320	GE IC695CPU315
ABB 5SHX1445H0001 3BHL000391P0101 3BHB003230R0101 5SXE05-0152	FOXBORO FBM230 P0926GU	GE IC695ETM001
MOOG D136-002-005帶D138-002-002	GE F650-N-F-L-F-2-G-1-HI-P-6E	NI USB-6525
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