在電力電子系統(tǒng)中，功率半導體分立器件的性能直接影響整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此，準確地測量和理解這些器件在各種工作條件下的動態(tài)特性是設(shè)計和應(yīng)用的關(guān)鍵。雙脈沖測試作為一種評估這些特性的標準方法，能夠提供關(guān)于器件行為的深入洞察。
雙脈沖測試簡介
一、什么是雙脈沖測試
雙脈沖測試的基本原理是在受控的實驗環(huán)境中，對MOSFET或IGBT施加兩個短暫的脈沖信號。
第一個脈沖用于將器件從關(guān)閉狀態(tài)切換到開啟狀態(tài)，以獲得一定電流，而第二個脈沖則是用來模擬器件在實際應(yīng)用中可能遇到的再次開啟。
通過測量器件在兩次脈沖之間的響應(yīng)，包括開關(guān)時間、開關(guān)能量、電流和電壓波形等，可以詳細了解器件的動態(tài)性能。
二、為什么要進行雙脈沖測試
雙脈沖測試能夠模擬功率半導體在電路中真實的工作狀態(tài)，特別是開關(guān)過程中的動態(tài)行為，達到以下幾種效果：
1、測定器件的開關(guān)時間、損耗以及其他關(guān)鍵性能參數(shù)，為設(shè)計高效和可靠的電力電子系統(tǒng)提供關(guān)鍵參考。
2、揭示器件在高速開關(guān)和大電流負載下的熱行為和電壓應(yīng)力情況，以預(yù)測器件的長期穩(wěn)定性和故障率。
3、優(yōu)化器件的驅(qū)動策略，提高系統(tǒng)的整體性能和效率。
功率半導體分立器件測試能力
一、測試設(shè)備
我司具備完整的動態(tài)測試平臺，適應(yīng)各類型分立器件的開關(guān)、反向恢復測試。
設(shè)備特點：
● 針對SiC MOS及IGBT設(shè)計
● 800 V/150 A的工作范圍
● 可自定義脈沖寬度
二、測試案例
1、Switching Time
2、Reverse Recovery
功率半導體分立器件測試服務(wù)介紹
廣電計量引進國內(nèi)外的測試技術(shù)和設(shè)備，具備功率半導體器件的全參數(shù)測試能力。
在第三代半導體領(lǐng)域，針對SiC功率器件的高壓、高溫、大功率等特點，現(xiàn)行的測試技術(shù)及設(shè)備已不能有效模擬出器件的工作壽命和偏置下的應(yīng)力狀態(tài)廣電計量采用全新的硬件設(shè)計方案及制板工藝成功實現(xiàn)高達1000V的HV-H3TRB和HV-HAST和高達225°C的HTXB試驗?zāi)芰?，充分驗證SiC功率器件的極限工作穩(wěn)定性，彌補了國內(nèi)相關(guān)器件可靠性驗證技術(shù)的空白。為國內(nèi)三分之二的功率器件企業(yè)提供參數(shù)測試、可靠性試驗及失效分析。
第三代半導體檢測領(lǐng)域合作客戶超過80家，樣品數(shù)量三十余萬件。成功案例：順利為包括泰科天潤、瞻芯電子、三安集成、清純半導體、基本半導體、愛仕特等在內(nèi)企業(yè)提供SBD、MOS的全套AEC-0101認證服務(wù)。
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