IGBT-HAST測(cè)試高加速老化試驗(yàn)箱，HAST CHAMBER 又稱為超加速壽命試驗(yàn)機(jī),是用于調(diào)查分析何時(shí)出現(xiàn)電子元器件和機(jī)械零件的摩耗和使用壽命的問題的試驗(yàn)設(shè)備其目的是提高環(huán)境應(yīng)力與工作應(yīng)力、加快試驗(yàn)過程縮短產(chǎn)品或系統(tǒng)的壽命試驗(yàn)時(shí)間。用于 PCB、LCD Board、電池、電容、電阻、IC 半導(dǎo)體、連接器、線路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏組件及其它電子零件之高溫、高濕、高壓等

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IGBT-HAST測(cè)試高加速老化試驗(yàn)箱

HAST CHAMBER 又稱為超加速壽命試驗(yàn)機(jī),是用于調(diào)查分析何時(shí)出現(xiàn)電子元器件和機(jī)械零件的摩耗和使用壽命的問題的試驗(yàn)設(shè)備

其目的是提高環(huán)境應(yīng)力與工作應(yīng)力、加快試驗(yàn)過程縮短產(chǎn)品或系統(tǒng)的壽命試驗(yàn)時(shí)間。

用于 PCB、LCD Board、電池、電容、電阻、IC 半導(dǎo)體、連接器、線路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏組件及其它電子零件之高溫、高濕、高壓等信賴性試驗(yàn)等行業(yè)。

IGBT-HAST測(cè)試高加速老化試驗(yàn)箱

IGBT-HAST測(cè)試的主要目的是：評(píng)估IGBT模塊在高溫高濕環(huán)境下的性能和可靠性。預(yù)測(cè)IGBT模塊在實(shí)際使用中的長期可靠性。識(shí)別IGBT模塊設(shè)計(jì)或制造過程中可能存在的潛在問題。

IGBT-HAST測(cè)試的原理：HAST測(cè)試通過模擬高溫高濕環(huán)境，對(duì)IGBT模塊施加加速的溫度和濕度應(yīng)力，以加速其內(nèi)部可能發(fā)生的物理和化學(xué)變化。這種測(cè)試方法能夠在短時(shí)間內(nèi)模擬長時(shí)間使用過程中的老化過程，從而評(píng)估IGBT模塊的可靠性。

IGBT-HAST測(cè)試的步驟

1. 確定測(cè)試條件：根據(jù)IGBT模塊的特性和應(yīng)用環(huán)境，確定相應(yīng)的溫度、濕度等測(cè)試條件。例如，可能在121℃的高溫環(huán)境中，將相對(duì)濕度控制在85%以上。

2. 樣品準(zhǔn)備：選取具有代表性的IGBT模塊樣品，確保樣品的質(zhì)量和可靠性。

3. 安裝與布置：將IGBT模塊樣品安裝在HAST測(cè)試設(shè)備中，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。

4. 施加應(yīng)力：按照確定的測(cè)試條件，對(duì)IGBT模塊施加相應(yīng)的溫度、濕度等應(yīng)力。

5. 監(jiān)控與記錄：對(duì)IGBT模塊在測(cè)試過程中的性能表現(xiàn)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄，包括電氣性能、機(jī)械性能等指標(biāo)。

6. 結(jié)果評(píng)估：根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)，評(píng)估IGBT模塊的可靠性和穩(wěn)定性，確定是否存在潛在問題。

7. 優(yōu)化與改進(jìn)：根據(jù)測(cè)試結(jié)果，對(duì)IGBT模塊的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.HAST高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)采用較新優(yōu)化設(shè)計(jì),美觀大方，做工精細(xì)

2.具備特制的試樣架免去繁雜的接線作業(yè)

3.大容量水箱,試驗(yàn)時(shí)間長,全自動(dòng)補(bǔ)水，試驗(yàn)不中斷