EMG LLS 875/01 LICHTBAND 光源發(fā)射器

光發(fā)射器集成，由光源（激光器或發(fā)光二極管）及其驅(qū)動電路（有時也加監(jiān)控或其它電路）組成的具有光發(fā)射功能的混合集成模塊或單片集成組件。

此外，研究最多的是發(fā)射波長為1.55μm的帶穩(wěn)頻的波長可調(diào)諧的分布反饋激光器列陣，它是頻分復(fù)用及相干光通信系統(tǒng)迫切需要的光發(fā)射器集成組件。

伺服閥 SV2-10/64/210/6 

伺服閥 SV1-10/8/315/6 

伺服閥 SV1-10/48/315/6 

伺服閥 SV1-10/32/100/6 

伺服閥 SV1-10/8/120/6 

伺服閥 SV1-10/4/120/6 

伺服閥 SV2-16/125/315/1/1/01 

濾芯 HFE400/10H 

位移傳感器 KLM300/012 

對中整流器 LLS675/02 LICHTBAND 

光發(fā)射器 LIC1075/11 

電路處理板 EVK2.12 VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/ 

電動執(zhí)行器 DMC2000-B3-160-SMC002-DCS 

位移傳感器 KLW300.012 

電路板 LIC2.01.1 

信號放大板 BMI2-51.1 

信號處理板 SMI2.11.3 

控制光源 LLS475/01 

推動器 TR-H9/6 SEU 

位移傳感器 KLW 450.012 

探測裝置 BMIH-CP/500/2290/1550/0 

高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 EMG

EMG線性光源發(fā)射器 LID2-800.32C 備件號：C019006

對中光源1075

線性光源發(fā)射器LLS675/01

高頻光源LLS875/02

LLS 675/11 Lchtband 品牌:EMG CPC光源

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌：EMG 

EMG對中線性光源發(fā)射器：LID2-800.2C元件編號：C019005

EMG 線性光源發(fā)射器 LLS875/01

EMG光源\LLS1075/01 

線性光源發(fā)射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A 

EMG高頻光源發(fā)射器LIC1075/11 

光源/L1C770/01-24VDC/3.0A 

EMG電動缸EMG伺服閥

EMG LLS 1075 線性光源發(fā)射器

ESSV1-10/8/315/6 糾編伺服閥

SV1-10/16/315/8 伺服閥

EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG高頻光源發(fā)射器 LLS875/01

EMG數(shù)字式控制器 ICON SE+VS/AE1054

EMG適配器 EVB03.01

EMG對中光源發(fā)射器LID2-800.2C

EMG KLW300-012

EMG CPC LS14.02

EMG KLW 360.012

EMG EPC EVM2-CP/1300.71/L/R

EMG EPC CCDPro 5000

EMG CPC LS13.01

EMG電動缸LLS 675/02

EMG 伺服閥 SV1-10/32/315-6

EMG 伺服閥 SV1-10/16/315/6    

EMG 伺服閥 SV1-10/8/315/6     

EMG 伺服閥 SV1-10/48/315/6   

EMG 伺服閥 SV1-10/8/120/6     

EMG 伺服閥 SV1-10/16/120/6  

EMG 伺服閥 SV1-10/8/315/6

EMG 伺服閥 SV1-10/16/120/6

EMG 伺服閥 SV1-10/48/315-6

EMG 伺服閥 SV1-10/16/315-6

EMG 伺服閥 SV1-10/8/100-6

EMG 傳感器 KLW 300.012

EMG 傳感器 KLW 150.012

EMG 傳感器 KLW 225.012

EMG 傳感器 KLW 360.012

EMG 傳感器 KLW150.012

EMG 傳感器 KLW225.012

EMG 傳感器 KLW300.012

最適宜制作各種短波長和長波長激光器的GaAs和InP材料,同時又是制作微波晶體管等高速電子線路以及雪崩光電二極管(APD)等高速光電探測器的良好材料。OEIc繼承了GaAs和IoP集成電路的高速性和光電器件的功能性,因而具有更強的功能和突出的Y越性。由于在Ga人s襯底上已經(jīng)得到了性能優(yōu)良的結(jié)型探測器、激光器(LD)和場效品體管F(ET),并且制作工藝也較成熟。1978年Ya:vi實驗室S先在GaAs襯底上實現(xiàn)了GaAIAs激光器和一個耿氏(Gu,In)器件的集成。此后許多實驗室相繼做出了各種結(jié)構(gòu)的OEIC,文實現(xiàn)了LD/F（ET）的集成，得到了光電探測器與FET的集成和中繼器的單片集成。OEIC具有許多U越性。它不僅由于集成了光電的多功能性，而且降低了寄生電容和寄生電感而極大地提高了速度,降低了噪聲。另外,多元件的單片集成減少了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)所需要的元件數(shù)目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同時也減小了功耗。自1969年Millc:等191提出“集成光學(xué)"的概念以來,主要沿著兩個方向發(fā)展,一個方向是OEIC。另一個方向是集成光路(OIC)它是在一塊固體基片上,把光學(xué)元、器件集成一體,使之成為具有某種高級功能的光回路。l[前主要是在具有強光電效應(yīng)的LINbO3(泥酸銼),錯體上集成。但期望的是在G。A、和nIP襯底上制做光學(xué)元、器件,從而制作具有更強功能的OEIC。